| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 硒化铋及其合金结构概述 | 第10-13页 |
| 1.1.1 层状硒化铋材料的结构 | 第10-11页 |
| 1.1.2 硒化铋材料的应用研究历史 | 第11-12页 |
| 1.1.2.1 热电应用 | 第11-12页 |
| 1.1.2.2 硒化铋拓扑绝缘体 | 第12页 |
| 1.1.3 硒化铋的掺杂与混晶概述 | 第12-13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 本文主要工作以及论文结构安排 | 第14-15页 |
| 第二章 实验方法和原理 | 第15-20页 |
| 2.1 硒化铋合金结构的制备方法 | 第15-18页 |
| 2.1.1 布里奇曼晶体生长法 | 第15-16页 |
| 2.1.2 分子束外延 | 第16-17页 |
| 2.1.3 真空蒸镀法 | 第17-18页 |
| 2.2 实验设备介绍 | 第18-20页 |
| 2.2.1 工作原理 | 第18-19页 |
| 2.2.2 真空系统 | 第19页 |
| 2.2.3 石英管 | 第19页 |
| 2.2.4 蒸发源材料 | 第19-20页 |
| 第三章 实验内容及后续分析表征手段 | 第20-32页 |
| 3.1 实验内容 | 第20-24页 |
| 3.1.1 实验前期准备 | 第20页 |
| 3.1.2 清洗硅衬底基片 | 第20-21页 |
| 3.1.3 蒸发源的称量 | 第21页 |
| 3.1.4 装样过程 | 第21-22页 |
| 3.1.5 真空抽气 | 第22页 |
| 3.1.6 制定镀膜程序 | 第22-23页 |
| 3.1.7 镀膜 | 第23-24页 |
| 3.1.8 通气和取样 | 第24页 |
| 3.1.9 高温退火 | 第24页 |
| 3.2 样品分析表征手段 | 第24-32页 |
| 3.2.1 X射线衍射仪 | 第24-26页 |
| 3.2.2 扫描电子显微镜 | 第26-27页 |
| 3.2.3 能谱定量分析 | 第27-28页 |
| 3.2.4 原子力显微镜 | 第28-29页 |
| 3.2.5 霍尔效应 | 第29-31页 |
| 3.2.6 拉曼效应 | 第31-32页 |
| 第四章 硒化铋单晶薄膜和合金结构的性质研究 | 第32-51页 |
| 4.1 硒化铋单晶薄膜和合金结构概述 | 第32页 |
| 4.2 单晶薄膜和合金薄膜的结构和形貌研究 | 第32-47页 |
| 4.2.1 Bi_2Se_3单晶薄膜的研究 | 第32-39页 |
| 4.2.2 四元合金薄膜的结构和形貌分析 | 第39-47页 |
| 4.3 硒化铋四元合金薄膜的电学特性研究 | 第47-48页 |
| 4.4 四元合金薄膜的拉曼散射机制的研究 | 第48-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 掺钙硒化铋薄膜结构的性质研究 | 第51-59页 |
| 5.1 Bi_2Se_3掺杂概述 | 第51-52页 |
| 5.2 Bi_(2-x)Ca_xSe_3的形貌和结构研究 | 第52-54页 |
| 5.3 电学性能的研究 | 第54-56页 |
| 5.4 光学性能的研究 | 第56-57页 |
| 5.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第六章 结论 | 第59-61页 |
| 6.1 本文的主要结论 | 第59-60页 |
| 6.2 下一步工作展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 在校期间取得的研究成果 | 第68-69页 |