GCT横向变掺杂（VLD）结终端结构的优化设计
| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 IGCT国内外的发展现状 | 第8-9页 |
| 1.2 结终端技术的研究进展 | 第9-11页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第11-14页 |
| 2 VLD结构的耐压机理与特性研究 | 第14-26页 |
| 2.1 仿真软件简介 | 第14页 |
| 2.2 GCT结构模型的建立 | 第14-18页 |
| 2.2.1 有源区结构 | 第14-15页 |
| 2.2.2 VLD结构的掩模设计方法 | 第15-17页 |
| 2.2.3 VLD结构模型的建立 | 第17-18页 |
| 2.3 终端耐压机理的研究 | 第18-22页 |
| 2.3.1 横向掺杂对电场强度分布的影响 | 第18-19页 |
| 2.3.2 击穿时的电场强度分布 | 第19-20页 |
| 2.3.3 终端尺寸对电场强度分布的影响 | 第20-22页 |
| 2.4 终端击穿特性 | 第22-23页 |
| 2.4.1 温度对击穿特性的影响 | 第22-23页 |
| 2.4.2 终端尺寸对击穿特性的影响 | 第23页 |
| 2.5 VLD与其他终端结构的耐压特性对比 | 第23-25页 |
| 2.6 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 钝化膜对结终端击穿特性的影响 | 第26-36页 |
| 3.1 钝化膜对耐压的重要性 | 第26页 |
| 3.2 钝化膜的质量要求 | 第26-27页 |
| 3.2.1 二氧化硅-氮化硅复合钝化膜 | 第26-27页 |
| 3.2.2 几种钝化膜特性对比分析 | 第27页 |
| 3.3 钝化膜中固定电荷的影响分析 | 第27-34页 |
| 3.3.1 正电荷对终端电场强度分布的影响 | 第27-30页 |
| 3.3.2 正电荷对钝化膜中电场强度分布的影响 | 第30-32页 |
| 3.3.3 负电荷对终端电场强度分布的影响 | 第32页 |
| 3.3.4 Qss对终端耐压的影响 | 第32-33页 |
| 3.3.5 VLD钝化膜的选择 | 第33-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 4 VLD结终端结构的工艺研究 | 第36-44页 |
| 4.1 有源区关键工艺分析及仿真 | 第36-38页 |
| 4.1.1 缓冲层 | 第36页 |
| 4.1.2 透明阳极 | 第36-37页 |
| 4.1.3 n+阴极区 | 第37-38页 |
| 4.2 终端工艺分析及仿真 | 第38-39页 |
| 4.3 整体工艺仿真及验证 | 第39-42页 |
| 4.3.1 整体工艺仿真 | 第39-40页 |
| 4.3.2 GCT及其终端的掺杂分布 | 第40-41页 |
| 4.3.3 阻断特性验证 | 第41-42页 |
| 4.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 5 结论 | 第44-46页 |
| 致谢 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
