工艺参数对硅单晶直拉过程影响的数值模拟研究
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 课题背景、目的及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 硅及硅单晶生长过程 | 第12-15页 |
| 1.2.1 硅的物理、化学及其半导体性质 | 第12-13页 |
| 1.2.2 硅单晶生长及其关键技术 | 第13-14页 |
| 1.2.3 硅单晶制备设备 | 第14-15页 |
| 1.3 硅单晶中的微缺陷 | 第15-16页 |
| 1.4 硅单晶生长数值模拟现状 | 第16-17页 |
| 1.5 本文研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 有限元模型及CGSim软件 | 第19-27页 |
| 2.1 数值模拟方法及其物理模型 | 第19-21页 |
| 2.1.1 计算机仿真 | 第19页 |
| 2.1.2 数值模拟方法的选择 | 第19-20页 |
| 2.1.3 物理模型及其简化 | 第20-21页 |
| 2.2 方程离散化及有限元分析步骤 | 第21页 |
| 2.2.1 方程离散化 | 第21页 |
| 2.2.2 有限元分析步骤 | 第21页 |
| 2.3 CGSim软件简介及操作流程 | 第21-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 拉晶速度及高度对直拉硅单晶生长过程的影响 | 第27-39页 |
| 3.1 固-液界面及其影响 | 第27页 |
| 3.2 模拟的几何模型、方法与条件 | 第27-30页 |
| 3.2.1 几何模型 | 第27-28页 |
| 3.2.2 模拟方法与条件 | 第28-30页 |
| 3.3 模拟结果及分析 | 第30-38页 |
| 3.3.1 拉晶高度的影响 | 第30-34页 |
| 3.3.2 拉晶速度的影响 | 第34-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 氩气流速对直拉法硅单晶生长影响的模拟 | 第39-47页 |
| 4.1 硅单晶的缺陷 | 第39页 |
| 4.2 模拟方法及模拟条件 | 第39-40页 |
| 4.3 模拟结果及分析 | 第40-45页 |
| 4.3.1 拉晶高度的影响 | 第40-41页 |
| 4.3.2 氩气流速的影响 | 第41-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 拉速对直拉硅单晶中空洞分布的影响 | 第47-57页 |
| 5.1 CGSim中相关模型和空位、空洞分布规律 | 第47-50页 |
| 5.1.1 原生点缺陷的扩散与分布模型 | 第47-48页 |
| 5.1.2 空洞形核模型 | 第48页 |
| 5.1.3 空洞的生长和消融模型 | 第48-49页 |
| 5.1.4 空位和空洞的径向分布规律 | 第49-50页 |
| 5.2 模拟初始条件及参数 | 第50-51页 |
| 5.3 模拟结果及分析 | 第51-54页 |
| 5.3.1 三种拉晶速度下空洞分布的同一性 | 第51-53页 |
| 5.3.2 三种拉晶速度下空洞分布的差异性 | 第53-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-57页 |
| 第六章 结论与展望 | 第57-59页 |
| 6.1 结论 | 第57页 |
| 6.2 展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第64页 |
