| 摘要 | 第4-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 半导体纳米异质外延 | 第12-13页 |
| 1.2 主要的位错抑制方法 | 第13-17页 |
| 1.2.1 缓冲层法 | 第14-16页 |
| 1.2.2 减小生长区域法 | 第16-17页 |
| 1.2.3 谐变衬底法 | 第17页 |
| 1.3 近年来研究进展 | 第17页 |
| 1.4 论文的结构安排 | 第17-20页 |
| 参考文献 | 第20-26页 |
| 第二章 计算理论基础 | 第26-54页 |
| 2.1 连续弹性理论 | 第26-33页 |
| 2.1.1 应变、应力的张量描述 | 第26-29页 |
| 2.1.2 广义胡克定律 | 第29-30页 |
| 2.1.3 张量变换规则 | 第30-33页 |
| 2.2 半导体纳米异质结构中应力应变分布的计算方法 | 第33-37页 |
| 2.2.1 格林函数法 | 第33-35页 |
| 2.2.2 有限差分法 | 第35页 |
| 2.2.3 有限元法 | 第35-37页 |
| 2.3 位错基础及其计算模型 | 第37-52页 |
| 2.3.1 位错类型与伯格斯矢量 | 第37-38页 |
| 2.3.2 实际晶体中的位错 | 第38-40页 |
| 2.3.3 无限大空间中位错的应力应变场分布 | 第40-42页 |
| 2.3.4 无限空间中有限长位错段的应力场分布 | 第42-45页 |
| 2.3.5 半导体纳米材料中位错的计算模型 | 第45-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第三章 半导体纳米材料中位错的优先形成位置 | 第54-76页 |
| 3.1 序言 | 第54页 |
| 3.2 InAs/GaAs量子点中界面位错的优先形成位置 | 第54-68页 |
| 3.2.1 模型与计算方法 | 第54-58页 |
| 3.2.2 截顶金字塔型InAs量子点中位错的优先形成位置 | 第58-62页 |
| 3.2.3 椭球型InAs量子点中位错的优先形成位置 | 第62-64页 |
| 3.2.4 透镜型InAs量子点中位错的优先形成位置 | 第64-67页 |
| 3.2.5 本节小结 | 第67-68页 |
| 3.3 InAs/GaAs量子点中非界面位错的优先形成位置 | 第68-72页 |
| 3.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 第四章 半导体纳米材料无位错生长的临界条件 | 第76-90页 |
| 4.1 序言 | 第76-77页 |
| 4.2 模型与计算方法 | 第77-82页 |
| 4.3 InAs/GaAs量子点无位错生长的临界尺寸 | 第82-86页 |
| 4.4 本章小结 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-90页 |
| 第五章 贯穿位错抑制 | 第90-101页 |
| 5.1 序言 | 第90页 |
| 5.2 模型与计算方法 | 第90-95页 |
| 5.3 贯穿位错过滤临界条件 | 第95-98页 |
| 5.4 本章小结 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-101页 |
| 第六章 量子点形成机制及其组分结构分析 | 第101-113页 |
| 6.1 序言 | 第101-102页 |
| 6.2 模型与计算方法 | 第102-104页 |
| 6.3 InGaN量子点及其浸润层的组分分析 | 第104页 |
| 6.4 GaN金字塔上InGaN量子点的形成机制研究 | 第104-111页 |
| 6.4.1 单个量子点的优先形成位置 | 第105-106页 |
| 6.4.2 单个量子点形成的临界条件 | 第106-107页 |
| 6.4.3 双量子点的优先形成位置 | 第107-108页 |
| 6.4.4 双量子点形成的临界条件 | 第108-109页 |
| 6.4.5 量子点形成与浸润层厚度的关系 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-113页 |
| 第七章 论文总结与展望 | 第113-116页 |
| 7.1 论文总结 | 第113-114页 |
| 7.2 未来工作展望 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
| 攻读博士学位期间发表论文情况 | 第118-119页 |
