| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRCAT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 本文研究意义 | 第17-19页 |
| 1.1.1 研究In P/In Ga As HBTs的意义 | 第17-18页 |
| 1.1.2 研究辐照的必要性 | 第18-19页 |
| 1.2 国内外研究现状及存在问题 | 第19-21页 |
| 1.3 本文结构 | 第21-23页 |
| 第二章 辐照基本概念与异质结双极型晶体管(HBTs)物理机制 | 第23-43页 |
| 2.1 空间辐照环境 | 第23-25页 |
| 2.2 辐照碰撞机制 | 第25-29页 |
| 2.2.1 卢瑟福散射 | 第26页 |
| 2.2.2 光子相互作用 | 第26-28页 |
| 2.2.3 中子相互作用 | 第28-29页 |
| 2.3 辐照损伤机制 | 第29-33页 |
| 2.3.1 位移损伤 | 第29-31页 |
| 2.3.2 非电离能量损失(NIEL) | 第31-32页 |
| 2.3.3 电离损伤 | 第32-33页 |
| 2.4 辐照分类 | 第33-34页 |
| 2.5 辐照对HBTs器件的损伤 | 第34页 |
| 2.6 异质结双极型晶体管(HBTs)物理机制 | 第34-41页 |
| 2.6.1.异质结 | 第35-36页 |
| 2.6.2 器件结构 | 第36-37页 |
| 2.6.3.工作模式 | 第37-39页 |
| 2.6.4.Gummel特性 | 第39-40页 |
| 2.6.5.HBTs器件的应用 | 第40-41页 |
| 2.7 本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 In P/In Ga As异质PN结结构的质子辐照研究 | 第43-55页 |
| 3.1 In P/In Ga As异质PN结器件结构及基本参数 | 第43-44页 |
| 3.2 In P/In Ga As异质PN结结构的质子辐照实验 | 第44-45页 |
| 3.3 实验结果及分析 | 第45-51页 |
| 3.3.1 In P/In Ga As异质PN结结构的电流-电压(I-V)特性 | 第45-47页 |
| 3.3.2 In P/In Ga As异质PN结结构的电容-电压(C-V)特性 | 第47-51页 |
| 3.4 界面态密度的计算 | 第51-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-55页 |
| 第四章 In P/In Ga As HBTs的质子辐照研究 | 第55-75页 |
| 4.1 In P/In Ga As HBTs的质子辐照研究 | 第55-61页 |
| 4.1.1 实验设计 | 第55-56页 |
| 4.1.2 测试结果及分析 | 第56-61页 |
| 4.2 非电离能量损失NIEL的计算 | 第61-68页 |
| 4.2.1 基于解析方法计算NIEL | 第61-66页 |
| 4.2.2 基于SRIM仿真计算NIEL | 第66-68页 |
| 4.2.3 NIEL计算结果的分析 | 第68页 |
| 4.3 SRIM仿真 | 第68-72页 |
| 4.3.1 不同能量的仿真 | 第68-69页 |
| 4.3.2 不同剂量的仿真 | 第69-72页 |
| 4.4 本章小结 | 第72-75页 |
| 第五章 总结与展望 | 第75-77页 |
| 5.1 总结 | 第75-76页 |
| 5.2 展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 作者简介 | 第83-84页 |
