| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-39页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 二维材料概述 | 第11-19页 |
| 1.2.1 二维材料简介 | 第11-13页 |
| 1.2.2 二维材料的性质及应用 | 第13-14页 |
| 1.2.3 二维材料的常用制备方法 | 第14-19页 |
| 1.3 拓扑绝缘体概述 | 第19-26页 |
| 1.3.1 拓扑绝缘体简介 | 第19-21页 |
| 1.3.2 二维拓扑绝缘体 | 第21-22页 |
| 1.3.3 三维拓扑绝缘体 | 第22-25页 |
| 1.3.4 三维拓扑绝缘体的性质及应用前景 | 第25-26页 |
| 1.4 Bi_2Se_3概述 | 第26-31页 |
| 1.4.1 Bi_2Se_3材料的基本性质 | 第26-27页 |
| 1.4.2 Bi_2Se_3纳米结构的研究现状及进展 | 第27-31页 |
| 1.5 本论文的选题依据和研究内容 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-39页 |
| 第二章 气相输运制备低维Bi_2Se_3材料及其生长机制研究 | 第39-64页 |
| 2.1 引言 | 第40-44页 |
| 2.1.1 气-固生长机制（vapor-solid,VS） | 第40-42页 |
| 2.1.2 气-液-固生长机制（vapor-liquid-solid,VLS） | 第42-44页 |
| 2.2 VS模式制备低维Bi_2Se_3纳米结构及表征 | 第44-53页 |
| 2.2.1 VS模式制备低维Bi_2Se_3纳米结构及形貌结构表征 | 第44-49页 |
| 2.2.2 少层Bi_2Se_3纳米片的制备及表征 | 第49-53页 |
| 2.3 VLS模式制备低维Bi_2Se_3纳米结构及表征 | 第53-61页 |
| 2.3.1 VLS模式制备低维Bi_2Se_3纳米结构及形貌结构表征 | 第53-57页 |
| 2.3.2 VLS模式制备低维Bi_2Se_3纳米结构的生长机理研究 | 第57-61页 |
| 2.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第三章 “两步法”制备大尺寸Bi_2Se_3片层结构与性质研究 | 第64-77页 |
| 3.1 引言 | 第64-66页 |
| 3.2 “两步法”制备桥状Bi_2Se_3纳米结构 | 第66-70页 |
| 3.2.1 桥状Bi_2Se_3纳米结构的制备 | 第66-67页 |
| 3.2.2 桥状Bi_2Se_3纳米结构的形貌和结构表征 | 第67-70页 |
| 3.3 “两步法”制备桥状Bi_2Se_3纳米结构的生长机理研究 | 第70-74页 |
| 3.3.1 二次生长过程的原位观测和分析 | 第70-73页 |
| 3.3.2 桥状Bi_2Se_3纳米结构的生长模型 | 第73-74页 |
| 3.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 第四章 Bi_2Se_3纳米片作为对电极在DSSC上的应用 | 第77-96页 |
| 4.1 染料敏化太阳能电池的结构和工作原理 | 第78-80页 |
| 4.1.1 DSSC的结构 | 第78页 |
| 4.1.2 DSSC的工作原理 | 第78-79页 |
| 4.1.3 对电极 | 第79-80页 |
| 4.2 实验部分 | 第80-82页 |
| 4.2.1 导电衬底 | 第80页 |
| 4.2.2 电解液的配制 | 第80页 |
| 4.2.3 Pt对电极的制备 | 第80页 |
| 4.2.4 Bi_2Se_3对电极的制备 | 第80-81页 |
| 4.2.5 TiO_2光阳极的制备 | 第81-82页 |
| 4.3 Bi_2Se_3对电极的制备和电化学性质研究 | 第82-92页 |
| 4.3.1 对电极的结构和形貌表征 | 第82-85页 |
| 4.3.2 Bi_2Se_3对电极的电化学性质测试 | 第85-90页 |
| 4.3.3 对电极稳定性测试及其性能研究 | 第90-91页 |
| 4.3.4 Bi_2Se_3对电极对DSSC光电转换效率的影响研究 | 第91-92页 |
| 4.4 本章小结 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-96页 |
| 第五章 结论 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
| 在学期间公开发表论文和参加学术会议情况 | 第99页 |
