1064nm DBR半导体激光器光栅的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| 1.1 半导体激光器发展概述 | 第7-8页 |
| 1.2 半导体激光器原理 | 第8-10页 |
| 1.3 窄线宽半导体激光器发展历程 | 第10-16页 |
| 1.4 研究意义 | 第16页 |
| 1.5 论文工作 | 第16-18页 |
| 第二章 DBR半导体激光器相关理论与设计 | 第18-25页 |
| 2.1 布拉格条件 | 第18-19页 |
| 2.2 分布反馈布拉格反射器 | 第19-21页 |
| 2.3 布拉格反射器原理 | 第21-23页 |
| 2.4 DBR半导体激光器实验参数设计 | 第23-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 设备原理及介绍 | 第25-32页 |
| 3.1 MOCVD设备介绍 | 第25-27页 |
| 3.2 全息曝光原理 | 第27-28页 |
| 3.3 ICP干法刻蚀技术 | 第28-30页 |
| 3.4 扫描电镜原理 (SEM) | 第30-31页 |
| 3.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 DBR半导体激光器光栅制备工艺 | 第32-45页 |
| 4.1 外延材料的生长 | 第32-33页 |
| 4.2 脊形波导的制备方法 | 第33-34页 |
| 4.3 光栅刻蚀方法选择 | 第34-35页 |
| 4.4 实验过程与分析 | 第35-41页 |
| 4.5 实验结论 | 第41-43页 |
| 4.6 本章小结 | 第43-45页 |
| 第五章 1064nm DBR半导体激光器输出特性 | 第45-49页 |
| 5.1 半导体激光器光功率测量原理及结果 | 第45-46页 |
| 5.2 半导体激光器光谱测量原理及结果 | 第46-48页 |
| 5.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第53页 |
