全透明ZnO紫外光电探测器的室温制备与性能研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 1 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 全透明电子器件的研究背景及意义 | 第10页 |
| 1.2 ZnO紫外光电探测器的研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.3 ZnO紫外光电探测器的研究现状 | 第11-16页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第16-18页 |
| 2 磁控溅射法制备ZnO薄膜及其表征 | 第18-37页 |
| 2.1 引言 | 第18-23页 |
| 2.1.1 ZnO的基本性质 | 第18-19页 |
| 2.1.2 ZnO薄膜的制备方法 | 第19-20页 |
| 2.1.3 ZnO薄膜的表征手段 | 第20-22页 |
| 2.1.4 磁控溅射原理 | 第22-23页 |
| 2.2 实验部分 | 第23-25页 |
| 2.2.1 实验材料和仪器介绍 | 第23-24页 |
| 2.2.2 实验步骤 | 第24-25页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第25-36页 |
| 2.3.1 溅射功率对ZnO薄膜的影响 | 第25-29页 |
| 2.3.2 溅射压强对ZnO薄膜的影响 | 第29-33页 |
| 2.3.3 退火处理对ZnO薄膜的影响 | 第33-34页 |
| 2.3.4 最佳条件下的XRD、透过率、PL | 第34-36页 |
| 2.4 本章总结 | 第36-37页 |
| 3 ZnO基MSM结构紫外光电探测器的制备与表征 | 第37-63页 |
| 3.1 引言 | 第37-44页 |
| 3.1.1 光电探测原理 | 第37-38页 |
| 3.1.2 常见紫外光电探测器结构 | 第38-39页 |
| 3.1.3 主要参数 | 第39-41页 |
| 3.1.4 MSM结构工作原理 | 第41-44页 |
| 3.2 实验部分 | 第44-48页 |
| 3.2.1 实验材料和仪器介绍 | 第44页 |
| 3.2.2 实验步骤 | 第44-48页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第48-61页 |
| 3.3.1 电极选择对器件性能的影响 | 第48-52页 |
| 3.3.2 退火处理对器件性能的影响 | 第52-58页 |
| 3.3.3 不同叉指对数对器件性能的影响 | 第58-61页 |
| 3.4 本章总结 | 第61-63页 |
| 4 总结与展望 | 第63-66页 |
| 4.1 全文结论 | 第63-65页 |
| 4.2 研究展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
