| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第17-34页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第17-19页 |
| 1.2 太阳电池的研究进展 | 第19-24页 |
| 1.3 黑硅及黑硅太阳电池 | 第24-32页 |
| 1.3.1 黑硅刻蚀方法 | 第25-30页 |
| 1.3.2 黑硅电池技术研究进展 | 第30-32页 |
| 1.4 本文主要研究思路 | 第32-34页 |
| 2 太阳电池的基本理论与测试表征方法 | 第34-57页 |
| 2.1 太阳电池中的电流 | 第34-42页 |
| 2.1.1 热平衡状态下的太阳电池 | 第34-36页 |
| 2.1.2 外加偏压及光照状态下的电流特性 | 第36-42页 |
| 2.2 太阳电池中的载流子复合 | 第42-48页 |
| 2.3 太阳电池的测试表征方法 | 第48-57页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜 | 第48-49页 |
| 2.3.2 掺杂浓度分布测试 | 第49-51页 |
| 2.3.3 少数载流子寿命测试 | 第51-52页 |
| 2.3.4 方块电阻与四探针测试法 | 第52-55页 |
| 2.3.5 太阳电池电学参数的测试 | 第55页 |
| 2.3.6 量子效率测试 | 第55-56页 |
| 2.3.7 电致发光图像 | 第56-57页 |
| 3 黑硅表面纳米结构的制备及其光学特性 | 第57-68页 |
| 3.1 黑硅表面纳米结构的制备 | 第57-59页 |
| 3.1.1 黑硅样品制备方法 | 第57-58页 |
| 3.1.2 黑硅刻蚀原理 | 第58-59页 |
| 3.2 黑硅表面形貌及光学特性 | 第59-61页 |
| 3.3 黑硅刻蚀方法优化 | 第61-66页 |
| 3.3.1 两步法黑硅刻蚀 | 第61-64页 |
| 3.3.2 黑硅样品纳米线尺寸调制 | 第64-66页 |
| 3.4 本章小结 | 第66-68页 |
| 4 黑硅太阳电池载流子复合特性及电学性能失效分析 | 第68-81页 |
| 4.1 黑硅电池的制备及其反射率 | 第68-72页 |
| 4.1.1 黑硅电池制备流程 | 第68-71页 |
| 4.1.2 黑硅电池与普通单晶硅电池的反射率 | 第71-72页 |
| 4.2 黑硅电池载流子复合特性 | 第72-76页 |
| 4.3 发射极掺杂浓度分布 | 第76-77页 |
| 4.4 黑硅电池电学性能 | 第77-80页 |
| 4.4.1 黑硅电池I-V特性 | 第77-78页 |
| 4.4.2 黑硅电池内量子效率及EL图像 | 第78-80页 |
| 4.5 本章小结 | 第80-81页 |
| 5 黑硅电池的钝化技术研究 | 第81-93页 |
| 5.1 热氧化钝化黑硅电池 | 第81-86页 |
| 5.1.1 常压高温热氧化钝化 | 第81-84页 |
| 5.1.2 高压热氧化钝化 | 第84-86页 |
| 5.2 SiN_x：H及SiO_2/SiN_x：H叠层钝化 | 第86-91页 |
| 5.3 本章小结 | 第91-93页 |
| 6 黑硅电池制备工艺优化 | 第93-109页 |
| 6.1 扩散工艺优化 | 第93-95页 |
| 6.2 黑硅电池纳米线尺寸优化 | 第95-98页 |
| 6.3 刻蚀方法改进 | 第98-99页 |
| 6.4 正面电极栅线设计优化 | 第99-100页 |
| 6.5 发射极TMAH腐蚀对黑硅电池效率的提升 | 第100-107页 |
| 6.6 本章小结 | 第107-109页 |
| 7 结论与展望 | 第109-113页 |
| 7.1 结论 | 第109-111页 |
| 7.2 创新点摘要 | 第111页 |
| 7.3 展望 | 第111-113页 |
| 参考文献 | 第113-122页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第122-123页 |
| 致谢 | 第123-124页 |
| 作者简介 | 第124页 |