| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-31页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·GaN材料的基本性质 | 第9-11页 |
| ·GaN的晶体结构 | 第10页 |
| ·GaN的能带结构和光学性质 | 第10-11页 |
| ·GaN材料的生长衬底 | 第11-13页 |
| ·GaN基LED的芯片结构 | 第13-17页 |
| ·Si衬底GaN垂直结构LED的优势 | 第17页 |
| ·Si衬底GaN及LED的最新进展 | 第17-23页 |
| ·本论文的研究内容及行文安排 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-31页 |
| 第2章 Si衬底垂直结构GaN基LED的出光模型与光提取效率 | 第31-44页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·LED发光效率的相关概念 | 第31-33页 |
| ·Si衬底垂直结构GaN基LED的出光模型 | 第33-37页 |
| ·出光锥(escape cone) | 第33-34页 |
| ·出光模型 | 第34-37页 |
| ·Si衬底垂直结构GaN基LED光提取效率的理论计算 | 第37-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 第3章 优化p-GaN厚度以提高LED光提取效率 | 第44-57页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·实验 | 第45-47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-54页 |
| ·光提取效率随p-GaN厚度的变化关系与最佳p-GaN厚度 | 第47-49页 |
| ·垂直结构LED芯片的辐射模式 | 第49-51页 |
| ·反射镜材料(Ag、Al和Pt)对最佳p-GaN厚度的影响 | 第51-52页 |
| ·光强与光功率的区别 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第4章 Si衬底垂直结构LED芯片制造过程中应力变化研究 | 第57-78页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·Si衬底垂直结构GaN基LED的制造方法 | 第57-58页 |
| ·测量薄膜应力的X射线衍射法 | 第58-66页 |
| ·X射线衍射的基本原理 | 第59页 |
| ·晶格常数的精确测量 | 第59-62页 |
| ·应变和应力分析 | 第62-63页 |
| ·测试条件的选择 | 第63-66页 |
| ·Si衬底垂直结构GaN基LED芯片制造过程中应力的变化 | 第66-72页 |
| ·实验 | 第66-67页 |
| ·结果与讨论 | 第67-72页 |
| ·小结 | 第72页 |
| ·芯片尺寸对Si衬底垂直结构GaN基LED薄膜应力的影响 | 第72-76页 |
| ·本章小结 | 第76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 第5章 结论 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第81页 |
