| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-17页 |
| 第二章 文献综述 | 第17-39页 |
| 2.1 多铁性概述 | 第17-20页 |
| 2.2 多铁材料 | 第20-27页 |
| 2.2.1 单相多铁材料 | 第21-22页 |
| 2.2.2 复相多铁材料 | 第22-25页 |
| 2.2.3 多铁材料中的耦合效应及应用 | 第25-27页 |
| 2.3 有效介质理论、经典渗流理论和混合介电模型 | 第27-32页 |
| 2.3.1 介电理论的发展历史简介 | 第27页 |
| 2.3.2 有效介质理论 | 第27-29页 |
| 2.3.3 经典渗流理论——有效输运性能的渗流判据及标度关系 | 第29-32页 |
| 2.3.4 混合介电模型 | 第32页 |
| 2.4 渗流型复相材料 | 第32-36页 |
| 2.4.1 以纯导电相为填充相的单渗流型复相材料 | 第32-34页 |
| 2.4.2 以半导相为填充相的单渗流型复相材料 | 第34-35页 |
| 2.4.3 双渗流型复相材料 | 第35页 |
| 2.4.4 渗流型复相材料的介电损耗在渗流阈值处的行为 | 第35-36页 |
| 2.5 本课题的研究目的及意义 | 第36-39页 |
| 第三章 样品制备与实验方法 | 第39-53页 |
| 3.1 实验原料与仪器 | 第39-40页 |
| 3.1.1 实验原料 | 第39页 |
| 3.1.2 制备样品的实验设备及器材 | 第39-40页 |
| 3.2 样品制备方法 | 第40-43页 |
| 3.2.1 常规烧结法制备BTO/NZFO复相陶瓷 | 第40-41页 |
| 3.2.2 临界烧结快冷法制备具有原位隔离阻挡层的BTO/NZFO复相陶瓷 | 第41-42页 |
| 3.2.3 低活性前驱体共烧法制备以PBO玻璃相为隔离阻挡层的BTO/NZFO复相陶瓷 | 第42-43页 |
| 3.3 样品结构和形貌表征 | 第43-44页 |
| 3.3.1 X射线衍射(XRD) | 第43页 |
| 3.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第43页 |
| 3.3.3 X射线电子能谱仪(EDS) | 第43-44页 |
| 3.3.4 致密度测试 | 第44页 |
| 3.4 介电性能表征 | 第44-46页 |
| 3.4.1 电极的制备 | 第44页 |
| 3.4.2 复介电常数频谱测试 | 第44-45页 |
| 3.4.3 复介电常数温谱测试 | 第45页 |
| 3.4.4 不同温度下的电导率频谱测试 | 第45页 |
| 3.4.5 不同温度下的阻抗谱测试 | 第45-46页 |
| 3.5 磁性能表征 | 第46-47页 |
| 3.5.1 交流磁导率频谱测试 | 第46页 |
| 3.5.2 不同温度下的磁滞回线测试 | 第46-47页 |
| 3.5.3 零场冷-场冷(ZFC-FC)测试 | 第47页 |
| 3.6 电磁性能的实验数据拟合与理论计算 | 第47-53页 |
| 3.6.1 混合介电模型的实验数据拟合及各分量的理论计算 | 第47-50页 |
| 3.6.2 磁导率频谱的实验数据拟合及各分量的理论计算 | 第50-51页 |
| 3.6.3 用MG模型和BH方程计算复相材料的有效输运性能 | 第51-53页 |
| 第四章 常规烧结法制备BTO/NZFO复相陶瓷的形成机理与显微结构-性能关联 | 第53-83页 |
| 4.1 引言 | 第53-54页 |
| 4.2 常规烧结法制备的BTO/NZFO复相陶瓷的相组成 | 第54-61页 |
| 4.3 常规烧结法制备的BTO/NZFO复相陶瓷的微结构 | 第61-68页 |
| 4.4 常规烧结法制备的BTO/NZFO复相陶瓷的致密化条件 | 第68-72页 |
| 4.5 影响BTO/NZFO复相陶瓷电磁性能的几个显微结构参数 | 第72-81页 |
| 4.5.1 晶粒尺寸 | 第72-74页 |
| 4.5.2 晶间连接度 | 第74-76页 |
| 4.5.3 界面数量 | 第76-81页 |
| 4.6 本章小结 | 第81-83页 |
| 第五章 常规烧结法制备的BTO/NZFO复相陶瓷中的渗流磁效应 | 第83-101页 |
| 5.1 引言 | 第83-84页 |
| 5.2 常规烧结法制备的BTO/NZFO复相陶瓷中的拓扑结构转变 | 第84-87页 |
| 5.3 常规烧结法制备的BTO/NZFO复相陶瓷中的渗流磁效应 | 第87-99页 |
| 5.3.1 初始磁导率在渗流阈值附近的临界行为 | 第87-94页 |
| 5.3.2 矫顽力在渗流阈值附近的临界行为 | 第94-96页 |
| 5.3.3 BTO/NZFO复相陶瓷的磁性能在渗流前后的变化 | 第96-99页 |
| 5.4 本章小结 | 第99-101页 |
| 第六章 常规烧结法制备的BTO/NZFO复相陶瓷中的伪渗流效应 | 第101-117页 |
| 6.1 引言 | 第101页 |
| 6.2 BTO/NZFO复相陶瓷中的电导率偏移现象 | 第101-109页 |
| 6.3 BTO/NZFO复相陶瓷中的介电常数偏移与渗流判据失效 | 第109-111页 |
| 6.4 NZFO相的半导性对BTO/NZFO复相陶瓷介电性能的影响 | 第111-115页 |
| 6.5 本章小结 | 第115-117页 |
| 第七章 具有隔离阻挡层的BTO/NZFO复相陶瓷的形成机理 | 第117-143页 |
| 7.1 引言 | 第117-118页 |
| 7.2 三步烧结快冷法制备BTO/NZFO复相陶瓷 | 第118-125页 |
| 7.3 临界烧结快冷法制备具有原位隔离阻挡层的BTO/NZFO复相陶瓷的形成机理 | 第125-131页 |
| 7.4 低活性前驱体共烧法制备以PBO玻璃相为隔离阻挡层的BTO/NZFO复相陶瓷的形成机理 | 第131-137页 |
| 7.5 不同PBO玻璃相含量对具有外掺隔离阻挡层的BTO/NZFO复相陶瓷的形成的影响 | 第137-141页 |
| 7.6 本章小结 | 第141-143页 |
| 第八章 具有隔离阻挡层的BTO/NZFO复相陶瓷的电磁性能 | 第143-165页 |
| 8.1 引言 | 第143页 |
| 8.2 具有原位隔离阻挡层的BTO/NZFO复相陶瓷的电磁性能 | 第143-148页 |
| 8.3 原位隔离阻挡层为非晶态时的介电异常现象 | 第148-153页 |
| 8.3.1 电导率异常 | 第148-150页 |
| 8.3.2 不同温度下的介电性能 | 第150-152页 |
| 8.3.3 介电温谱宽化 | 第152-153页 |
| 8.4 以PBO玻璃相为隔离阻挡层的BTO/NZFO复相陶瓷的电磁性能 | 第153-159页 |
| 8.4.1 介电性能 | 第153-156页 |
| 8.4.2 磁性能 | 第156-159页 |
| 8.5 PBO含量对具有外掺隔离阻挡层的BTO/NZFO复相陶瓷的电磁性能的影响 | 第159-163页 |
| 8.5.1 PBO含量对介电性能的影响 | 第159-161页 |
| 8.5.2 PBO含量对磁性能的影响 | 第161-163页 |
| 8.6 本章小结 | 第163-165页 |
| 第九章 全文总结与展望 | 第165-169页 |
| 9.1 研究总结 | 第165-167页 |
| 9.2 对今后工作的建议和展望 | 第167-169页 |
| 参考文献 | 第169-180页 |
| 致谢 | 第180-181页 |
| 个人简历 | 第181-182页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文和取得的其他研究成果 | 第182-183页 |
