| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 高速光通信系统 | 第9-14页 |
| 1.1.1 光收发模块 | 第9-12页 |
| 1.1.2 光子交换芯片 | 第12-14页 |
| 1.2 不同材料平台的EDG | 第14-19页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容和章节安排 | 第19-20页 |
| 2 刻蚀衍射光栅的基本原理、设计与仿真 | 第20-29页 |
| 2.1 引言 | 第20-21页 |
| 2.2 EDG的基本原理 | 第21-24页 |
| 2.2.1 EDG的几何结构 | 第21页 |
| 2.2.2 EDG的工作原理 | 第21-23页 |
| 2.2.3 EDG的基本特性 | 第23-24页 |
| 2.3 EDG设计及仿真 | 第24-29页 |
| 2.3.1 EDG的设计方法 | 第24-27页 |
| 2.3.2 EDG的数值仿真 | 第27-29页 |
| 3 基于220nm SOI平台的刻蚀衍射光栅波长路由器 | 第29-56页 |
| 3.1 引言 | 第29-32页 |
| 3.2 EDGR的设计 | 第32-38页 |
| 3.2.1 EDGR的整体设计流程 | 第32-33页 |
| 3.2.2 EDGR的设计举例 | 第33-36页 |
| 3.2.3 EDGR的总体布局和仿真结果分析 | 第36-38页 |
| 3.3 基于220nm SOI平台的EDGR制作工艺 | 第38-46页 |
| 3.3.1 主要工艺 | 第39-43页 |
| 3.3.2 EDGR制作的整体工艺流程 | 第43-46页 |
| 3.4 基于220 nm SOI平台的EDGR测试结果及分析 | 第46-50页 |
| 3.4.1 EDGR制作结果 | 第46页 |
| 3.4.2 EDGR测试结果 | 第46-50页 |
| 3.5 EDGR损耗不均匀问题分析 | 第50-56页 |
| 3.5.1 损耗不均匀性产生的原因 | 第50-53页 |
| 3.5.2 改善损耗不均匀性的方法 | 第53-56页 |
| 4 基于3μmSOI平台面向LR4应用的EDG波分复用器 | 第56-78页 |
| 4.1 引言 | 第56-58页 |
| 4.2 基于3μm SOI平台的EDG的设计及仿真 | 第58-65页 |
| 4.2.1 SOI材料及波导结构的选择 | 第58-61页 |
| 4.2.2 整体结构设计及其仿真 | 第61-65页 |
| 4.3 基于3μmSOI平台的EDG的制作 | 第65-73页 |
| 4.3.1 关键工艺 | 第65-70页 |
| 4.3.2 整体工艺流程 | 第70-73页 |
| 4.4 基于3μmSOI平台的EDG的测试及结果分析 | 第73-78页 |
| 4.4.1 EDG的制作结果 | 第73-74页 |
| 4.4.2 EDG的测试结果 | 第74-78页 |
| 5 总结与展望 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-87页 |
| 作者简介 | 第87页 |
