| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 下一代以太网对波长可调谐激光器的需求 | 第9-13页 |
| 1.2 波长可调谐半导体激光器的研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3 本论文的章节安排 | 第16-17页 |
| 1.4 本论文的创新点 | 第17-19页 |
| 2 1310nm波段Ⅴ型耦合腔可调谐激光器的设计 | 第19-40页 |
| 2.1 Ⅴ型耦合腔激光器的基本结构和工作原理 | 第19-26页 |
| 2.1.1 基本组成部分 | 第19-20页 |
| 2.1.2 游标效应的应用 | 第20-22页 |
| 2.1.3 半波耦合器 | 第22-25页 |
| 2.1.4 阈值条件 | 第25-26页 |
| 2.2 量子阱结构、层状结构及波导结构设计 | 第26-33页 |
| 2.2.1 量子阱结构设计 | 第26-30页 |
| 2.2.2 层状结构设计 | 第30-31页 |
| 2.2.3 波导结构设计 | 第31-33页 |
| 2.3 激光器结构设计 | 第33-40页 |
| 2.3.1 谐振腔设计 | 第33-36页 |
| 2.3.2 半波耦合器设计 | 第36-40页 |
| 3 制作工艺流程及测试分析 | 第40-59页 |
| 3.1 关键制作工艺及设备 | 第40-46页 |
| 3.1.1 光刻工艺 | 第40-41页 |
| 3.1.2 薄膜沉积工艺 | 第41-42页 |
| 3.1.3 刻蚀工艺 | 第42-43页 |
| 3.1.4 平坦化工艺 | 第43-44页 |
| 3.1.5 金属溅射及减薄抛光工艺 | 第44-46页 |
| 3.2 实际器件制作 | 第46-49页 |
| 3.2.1 光掩膜版绘制 | 第46-47页 |
| 3.2.2 艺流程总览 | 第47-48页 |
| 3.2.3 最终器件 | 第48-49页 |
| 3.3 器件测试及性能分析 | 第49-59页 |
| 3.3.1 器件测试平台介绍 | 第49-51页 |
| 3.3.2 P-I-V特性测试 | 第51-52页 |
| 3.3.3 多信道波长切换特性及单模光谱特性测试 | 第52-55页 |
| 3.3.4 针对边模抑制比不高的原因分析 | 第55-56页 |
| 3.3.5 改进后的实验结果 | 第56-59页 |
| 4 满足100GBASE-LR4规范的Ⅴ型耦合腔激光器设计和仿真 | 第59-73页 |
| 4.1 100GBASE-LR4简介 | 第59-61页 |
| 4.1.1 IEEE Std 802.3ba的提出背景 | 第59页 |
| 4.1.2 100GBASE-LR4的具体内容 | 第59-61页 |
| 4.2 V型耦合腔可调谐激光器的优化设计 | 第61-63页 |
| 4.2.1 波导结构设计 | 第61-62页 |
| 4.2.2 腔长及半波耦合器设计 | 第62-63页 |
| 4.3 基于时域行波模型的静态和动态性能仿真 | 第63-73页 |
| 4.3.1 时域行波模型 | 第63-66页 |
| 4.3.2 仿真使用到的各项参数 | 第66-67页 |
| 4.3.3 静态特性的仿真 | 第67-69页 |
| 4.3.4 动态调制特性的仿真 | 第69-73页 |
| 5 总结和展望 | 第73-75页 |
| 5.1 本文总结 | 第73-74页 |
| 5.2 工作展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-82页 |
| 附录 | 第82页 |
| 作者简介 | 第82页 |
| 成果附录 | 第82页 |