基于温和等离子体沉积技术的a-SiN_x薄膜制备及性质研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 晶硅太阳能电池与氮化硅薄膜 | 第9-13页 |
| 1.2.1 晶硅太阳能电池 | 第9-12页 |
| 1.2.2 氮化硅薄膜 | 第12-13页 |
| 1.3 氮化硅薄膜国内外研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 论文的主要研究内容和架构 | 第14-16页 |
| 第二章 氮化硅薄膜的制备技术和表征技术 | 第16-27页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 等离子体 | 第16-18页 |
| 2.2.1 等离子体的产生 | 第17-18页 |
| 2.2.2 等离子体的形成 | 第18页 |
| 2.3 氮化硅薄膜的主要制备技术 | 第18-22页 |
| 2.3.1 等离子体增强化学气相淀积 | 第18-20页 |
| 2.3.2 电感耦合等离子体增强化学气相淀积 | 第20-21页 |
| 2.3.3 微波等离子体淀积 | 第21-22页 |
| 2.4 氮化硅薄膜的表征技术 | 第22-26页 |
| 2.4.1 少子寿命测试 | 第22-23页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜 | 第23页 |
| 2.4.3 傅立叶红外光谱仪测试 | 第23-24页 |
| 2.4.4 X射线光电子能谱测试 | 第24-25页 |
| 2.4.5 椭圆偏振光谱仪测试 | 第25页 |
| 2.4.6 拉曼光谱 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 温和等离子体沉积系统 | 第27-32页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 温和等离子体 | 第27-31页 |
| 3.2.1 温和等离子体的原理 | 第27-28页 |
| 3.2.2 温和等离子体系统的搭建 | 第28-31页 |
| 3.3 温和等离子体系统的操作规范以及注意事项 | 第31页 |
| 3.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 工艺制备参数对氮化硅薄膜性能的影响 | 第32-40页 |
| 4.1 引言 | 第32页 |
| 4.2 实验流程 | 第32-34页 |
| 4.2.1 衬底材料的选择 | 第32页 |
| 4.2.2 衬底材料的清洗 | 第32-33页 |
| 4.2.3 制备流程 | 第33-34页 |
| 4.3 清洗方法对氮化硅薄膜性能的影响 | 第34-37页 |
| 4.4 气体流量比对氮化硅薄膜性能的影响 | 第37-38页 |
| 4.5 射频功率对氮化硅薄膜性能的影响 | 第38-39页 |
| 4.6 本章小结 | 第39-40页 |
| 第五章 氮化硅薄膜在晶硅表面的钝化研究 | 第40-51页 |
| 5.1 引言 | 第40页 |
| 5.2 氮化硅薄膜的微观形貌表征 | 第40-42页 |
| 5.3 氮化硅薄膜的成分分析 | 第42-44页 |
| 5.4 氮化硅薄膜钝化效果研究 | 第44-49页 |
| 5.4.1 钝化的机理 | 第44-45页 |
| 5.4.2 氮化硅薄膜的微结构性能 | 第45-48页 |
| 5.4.3 氮化硅薄膜的钝化效应 | 第48-49页 |
| 5.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 第六章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 6.1 总结 | 第51-52页 |
| 6.2 展望 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 附录: 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第59页 |
