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基于Encounter的深亚微米布局设计和布线方法研究

摘要第1-4页
Abstract第4-7页
第一章 绪论第7-11页
   ·布局布线的发展第7页
   ·课题的提出第7-8页
   ·项目研究的意义第8-9页
   ·论文内容及架构第9-11页
第二章 深亚微米集成电路物理特性第11-21页
   ·电容效应第11-12页
   ·延时计算方法第12-15页
   ·信号完整性分析第15-19页
     ·产生 SI 问题的原因第15页
     ·串扰的产生原因第15-17页
     ·电源网络设计第17-19页
   ·本章小结第19-21页
第三章 超大规模集成电路后端设计基本流程第21-31页
   ·当今集成电路的发展概况第21页
   ·设计方法学第21页
   ·后端设计基本流程研究第21-30页
     ·数据准备第22-23页
     ·布图规划与布局第23-24页
     ·电源规划第24页
     ·布局第24-25页
     ·时钟树综合第25-27页
     ·布线第27页
     ·可制造性设计第27-29页
     ·物理验证第29-30页
   ·本章小结第30-31页
第四章 静态时序分析第31-37页
   ·为什么要进行静态时序分析第31页
   ·静态时序分析的目的第31-32页
   ·静态时序分析的几个重要概念第32-35页
     ·时序路径类型第32页
     ·建立时间与保持时间第32-33页
     ·建立时间与保持时间的时序违反第33-34页
     ·时序分析的几个概念第34-35页
   ·以 R2R 路径为例进行时序分析第35页
   ·时序优化第35-36页
     ·引起时序违反的原因第35-36页
     ·时序违反的解决方案第36页
   ·本章小结第36-37页
第五章 基于 SoC Encounter 的后端布局设计和布线方法研究第37-55页
   ·开发环境介绍第37页
   ·基于 SoC Encounter 的后端布局设计和布线方法研究第37-54页
     ·布图规划第37-38页
     ·电源规划第38-39页
     ·放置标准单元第39-40页
     ·时钟树综合第40-46页
     ·布线第46-48页
     ·静态时序分析第48-51页
     ·布线后添加填充物和填充金属第51-53页
     ·物理验证和寄生参数提取第53-54页
   ·本章小结第54-55页
第六章 总结第55-57页
致谢第57-59页
参考文献第59-61页

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