| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 二维电子气的一般理论 | 第10-19页 |
| 引言 | 第10页 |
| ·半导体材料和技术的发展 | 第10-11页 |
| ·二维电子气的形成 | 第11-12页 |
| ·压电极化和自发极化 | 第12-13页 |
| ·Hartree近似 | 第13-14页 |
| ·磁电阻振荡 | 第14-15页 |
| ·磁输运性质 | 第15-19页 |
| ·量子散射时间 | 第16页 |
| ·电子-电子相互作用 | 第16-17页 |
| ·弱局域和反弱局域 | 第17-19页 |
| 第二章 样品制备及磁输运测试 | 第19-29页 |
| ·材料生长方法 | 第19-21页 |
| ·金属有机物化学气相沉积法 | 第19-20页 |
| ·分子束外延 | 第20页 |
| ·氢化物气相外延 | 第20-21页 |
| ·欧姆接触 | 第21-22页 |
| ·磁输运测试系统和测试方法 | 第22-29页 |
| ·测试系统 | 第22-24页 |
| ·测试方法 | 第24-27页 |
| ·测量误差 | 第27-29页 |
| 第三章 InGaAs/InAlAs量子阱中二维电子气的自旋分裂 | 第29-40页 |
| ·样品结构和实验 | 第30页 |
| ·结果和讨论 | 第30-38页 |
| ·SdH振荡 | 第30-33页 |
| ·磁电阻拍频分析 | 第33-34页 |
| ·自旋分裂能 | 第34-35页 |
| ·不同自旋态的有效质量 | 第35-36页 |
| ·用不同方法得到第一子带的自旋分裂能 | 第36-37页 |
| ·不同自旋态有效质量不同时的抛物模型 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 GaN/Al_xGa_(1-x)n异质结二维电子气的磁电阻 | 第40-51页 |
| ·电子-电子相互作用(EEI) | 第40-41页 |
| ·样品结构和实验 | 第41-42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-49页 |
| ·全磁场范围内磁电阻的起因 | 第42-44页 |
| ·同时考虑EEI和平行电导时的拟合模型 | 第44-47页 |
| ·只存在平行电导时的计算模型 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第62页 |