| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 图、表清单 | 第9-13页 |
| 注释表 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-22页 |
| ·论文的选题背景 | 第14-19页 |
| ·本文研究目的与意义 | 第14-15页 |
| ·单晶硅的性质与制备 | 第15-17页 |
| ·传统单晶硅加工技术发展现状 | 第17-19页 |
| ·单晶硅传统机械加工损伤层研究现状 | 第19页 |
| ·电火花线切割单晶硅加工研究现状 | 第19-22页 |
| 第二章 电火花线切割单晶硅损伤机理研究及损伤形式 | 第22-39页 |
| ·放电加工的原理 | 第22-27页 |
| ·放电加工的条件 | 第22-23页 |
| ·放电蚀除的物理过程 | 第23-25页 |
| ·电极材料蚀除机理 | 第25-27页 |
| ·电火花放电加工金属材料表面变质层 | 第27-29页 |
| ·表面变质层金相组织变化 | 第27-28页 |
| ·表面变质层的厚度 | 第28-29页 |
| ·单晶硅放电加工损伤机理研究 | 第29-37页 |
| ·热蚀除引入的损伤 | 第29-34页 |
| ·应力蚀除引入的损伤 | 第34-37页 |
| ·电化学/电解腐蚀损伤 | 第37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 电火花线切割单晶硅损伤层试验、检测设备及方法 | 第39-50页 |
| ·试验设备 | 第39-44页 |
| ·电火花线切割加工机床 | 第39-40页 |
| ·自行研制线切割机床 | 第40-44页 |
| ·电火花线切割单晶硅损伤层的检测方法 | 第44-49页 |
| ·择优腐蚀法 | 第45-46页 |
| ·光学工具测量显微镜 | 第46-47页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第47-48页 |
| ·三维光学表面形貌轮廓仪 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 电火花线切割单晶硅表面损伤层研究 | 第50-67页 |
| ·表面层杂质元素 | 第50-54页 |
| ·杂质元素的对硅片危害 | 第50页 |
| ·电火花线切割单晶硅杂质元素分析 | 第50-54页 |
| ·硅片表面的换向纹 | 第54-56页 |
| ·表面的放电凹坑 | 第56-61页 |
| ·粗糙度随加工条件变化规律 | 第61-65页 |
| ·粗糙度随放电电压变化规律 | 第62页 |
| ·粗糙度随脉冲宽度变化规律 | 第62-63页 |
| ·粗糙度随脉冲间隔变化规律 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 电火花线切割单晶硅亚表面损伤研究 | 第67-81页 |
| ·亚表面损伤层试样的制备及试验方法 | 第67-68页 |
| ·表面层微裂纹的研究 | 第68-75页 |
| ·试验方法及条件 | 第68-70页 |
| ·裂纹深度随加工电压变化规律 | 第70-72页 |
| ·裂纹深度随加工脉宽变化规律 | 第72-73页 |
| ·裂纹深度随占空比变化规律 | 第73-74页 |
| ·裂纹深度随工作液变化规律 | 第74-75页 |
| ·电火花线切割单晶硅亚表面损伤层组成 | 第75-77页 |
| ·损伤层厚度随加工参数变化规律 | 第77-80页 |
| ·加工电压对损伤层的影响 | 第77-78页 |
| ·脉冲宽度对损伤层影响 | 第78-79页 |
| ·占空比对损伤层影响 | 第79-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 第六章 总结与展望 | 第81-83页 |
| ·总结 | 第81-82页 |
| ·展望 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 攻读硕士期间发表学术论文 | 第88页 |