基于EEPROM智能卡SOC平台的高栅耦合嵌入式OTP技术

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-11页
第一章 引言	第11-15页
·非挥发性半导体存储器发展概述	第11-13页
·选题的目的和意义	第13-14页
·论文的主要内容	第14-15页
第二章 OTP 单元结构和工作原理	第15-28页
·编程机理：热电子注入（HEI）效应	第15-17页
·擦除机理：光电效应	第17-18页
·常见OTP 结构和信息读取条件	第18-21页
·电容模型和电容耦合系数	第21-28页
·电容模型和I-V 特性	第21-25页
·电容耦合系数的预测和提取技术	第25-28页
第三章 新型OTP 单元设计和缩小规则	第28-33页
·MOS 器件和OTP 单元的设计和缩小规则	第28-29页
·新型OTP 单元的设计理念	第29-30页
·新型OTP 单元的测试单元设计	第30-31页
·新型OTP 单元的电容耦合比预算	第31-33页
第四章 新型OTP 制造工艺及优化	第33-42页
·基于EEPROM 智能卡SOC 工艺	第33-34页
·新型OTP 单元嵌入工艺流程	第34-36页
·新型OTP 特殊工艺技术	第36-42页
·隧穿氧化层	第37页
·浮栅形成	第37-40页
·源漏定义	第40页
·高压技术`	第40-41页
·多晶硅後工艺对隧穿氧化层的影响	第41-42页
第五章 新型OTP 单元器件性能及优化	第42-55页
·读操作条件的选择	第42-44页
·编程操作条件的选择	第44-48页
·编程速度	第44-46页
·编程干扰	第46-48页
·UV 擦除操作条件的选择	第48-51页
·UV 擦除阈值的选择	第48-49页
·UV 擦除的优化	第49-51页
·数据保持性	第51-52页
·栅电容耦合系数的提取及优化	第52-55页
第六章 总结和建议	第55-56页
参考文献	第56-57页
致谢	第57-58页
攻读学位期间发表的学术论文目录	第58页