| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 绪论 | 第9-11页 |
| 第一章 硅材料的特性 | 第11-16页 |
| ·单晶硅和低维纳米结构的基本性质 | 第11-12页 |
| ·单晶硅的基本性质 | 第11页 |
| ·块状硅晶体与硅晶低维量子结构的比较 | 第11页 |
| ·低维纳米结构的生成和发光机理的研究目的 | 第11-12页 |
| ·半导体硅低维体系中的能级和态密度 | 第12-13页 |
| ·能级 | 第12页 |
| ·态密度 | 第12-13页 |
| ·半导体纳米材料的电子结构 | 第13页 |
| ·硅纳米材料的光学性质 | 第13-14页 |
| ·硅纳米材料的光吸收 | 第13-14页 |
| ·硅纳米材料的光发射 | 第14页 |
| ·纳米硅的特性及研究方法 | 第14-16页 |
| 第二章 实验系统 | 第16-26页 |
| ·样品制备系统 | 第16-19页 |
| ·YAG固体激光器 | 第16-17页 |
| ·电化学刻蚀与激光辐照系统 | 第17-19页 |
| ·样品检测系统 | 第19-26页 |
| ·微区拉曼/荧光光谱仪 | 第19-23页 |
| ·荧光光谱的原理 | 第19-20页 |
| ·拉曼光谱的原理 | 第20-23页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第23-26页 |
| ·扫描电镜的特点 | 第23页 |
| ·扫描电镜的结构和工作原理 | 第23-26页 |
| 第三章 激光辐照法制备纳米硅的低维结构 | 第26-33页 |
| ·纳米硅制备方法的国内外研究现状及水平 | 第26-28页 |
| ·阳极腐蚀法 | 第26-27页 |
| ·光照辐照的电化学阳极腐蚀法 | 第27页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第27页 |
| ·分子束外延法(MBE) | 第27-28页 |
| ·用激光辐照法制备纳米硅方法的研究 | 第28-33页 |
| ·激光的参量选取 | 第28页 |
| ·激光加工的时间控制 | 第28-30页 |
| ·激光辐照样品时间的选取 | 第28页 |
| ·激光加工时间参量与制备样品结构的关系 | 第28-30页 |
| ·激光加工时间参量与制备样品PL发光的对应关系 | 第30页 |
| ·激光加工功率的控制 | 第30-31页 |
| ·激光辐照功率的选取 | 第30-31页 |
| ·激光辐照功率与制备样品结构的关系 | 第31页 |
| ·激光辐照功率与制备样品PL发光的对应关系 | 第31页 |
| ·在隔氧环境中激光辐照法制备纳米硅的光谱学特性研究 | 第31-33页 |
| ·隔氧制备与检测纳米硅样品的几种方法 | 第31-32页 |
| ·不同的隔氧制备方法对应纳米硅样品的PL光谱比较 | 第32页 |
| ·分析与结论 | 第32-33页 |
| 第四章 网孔硅结构的表征与形成的机理 | 第33-40页 |
| ·网孔硅结构的表征 | 第33-35页 |
| ·网孔硅结构的形貌观察 | 第33页 |
| ·用拉曼光谱峰频移与展宽来检测网孔硅结构的尺寸 | 第33-35页 |
| ·纳米硅结构形成机理的国内外现状及水平 | 第35-36页 |
| ·Beale模型 | 第35页 |
| ·扩散限制模型 | 第35-36页 |
| ·表面效应 | 第36页 |
| ·激光作用在硅上产生的等离子体 | 第36-38页 |
| ·激光与半导体材料相互作用的机理 | 第37-38页 |
| ·激光与P型硅的相互作用原理 | 第38页 |
| ·光子作用所形成的硅的低维结构 | 第38-40页 |
| 第五章 硅的低维纳米结构发光特性研究 | 第40-43页 |
| ·网孔硅纳米结构PL发光的增强效应 | 第40-42页 |
| ·网孔硅纳米结构PL发光的钉扎效应 | 第42-43页 |
| 第六章 网孔硅纳米结构PL发光的理论模型 | 第43-50页 |
| ·纳米硅发光机理的国内外研究现状及水平 | 第43-45页 |
| ·表面氢化物发光模型 | 第43页 |
| ·量子限制效应模型 | 第43-44页 |
| ·量子限制-发光中心模型 | 第44-45页 |
| ·纳晶硅与氧化硅界面中的陷阱态及其相关模型 | 第45-47页 |
| ·网孔硅结构PL发光钉扎与增强效应的机理 | 第47-50页 |
| 第七章 总结和展望 | 第50-53页 |
| ·结论 | 第50-51页 |
| ·展望 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 作者简介 | 第60-61页 |
| 研究生期间发表的论文情况 | 第61-63页 |
| 参加的学术活动和科研项目 | 第63-64页 |