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ZnSnO3气敏材料的制备、掺杂及其气敏性能研究

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-9页
1 气敏传感器概述第9-23页
   ·传感器及其气敏传感器第9-15页
     ·传感器及其气敏传感器的重要性第9-10页
     ·半导体气敏传感器的分类和主要特性第10-11页
     ·国、内外气敏传感器的研究现状和存在问题第11-14页
     ·气敏传感器的研究发展方向第14-15页
   ·ABO_3 钙钛型矿复合氧化物气敏材料的研究第15-20页
     ·ABO_3 钙钛矿型的结构特性第15-16页
     ·ABO_3 钙钛矿型复合氧化物的气敏性质和应用第16页
     ·影响ABO_3 钙钛矿型复合氧化物气敏性能的因素第16-17页
     ·ABO_3 钙钛矿型复合氧化物的制备第17-19页
     ·ABO_3 钙钛矿型复合氧化物传感器气敏膜的制备方法第19-20页
   ·课题的选取及研究内容第20-23页
     ·纯净ZnSnO_3 粉末的制备第21页
     ·纯ZnSnO_3 粉末的气敏测试第21页
     ·ZnSnO_3 粉末进行贵金属系列掺杂和气敏测试实验第21页
     ·ZnSnO_3 粉末掺杂PdCl_2 制备的氢敏传感器的研究第21页
     ·ZnSnO_3 气敏传感器最加工作温度的研究第21-22页
     ·表征分析第22页
     ·气敏机理研究第22-23页
2 离子置换低温烧结法制备ZNSNO_3 及其气敏性能研究第23-37页
   ·序言第23页
   ·实验第23-27页
     ·高纯ZnSnO_3 粉体的制备第23-24页
     ·气敏传感器元件的制备第24-26页
     ·表征第26-27页
   ·结果和讨论第27-35页
     ·粉末物相分析第27-30页
     ·L 法制备的前躯体的DSC-TG 分析结果第30-31页
     ·不同制备方法对灵敏度的影响第31页
     ·加热工作温度和对气体选择性的测定第31-32页
     ·电压特性和恢复-响应时间第32-33页
     ·长期工作稳定性第33-34页
     ·SEM 分析第34-35页
     ·TEM 分析第35页
   ·本章结论第35-37页
3 掺杂ZNSNO_3 气敏特性研究第37-51页
   ·引言第37页
   ·实验第37-38页
     ·气敏传感器元件的制备第37页
     ·元件表征及测试第37-38页
   ·结果与讨论第38-49页
     ·不同的添加剂对不同气体灵敏度的影响第38-42页
     ·掺入La_2O_3,TiO_2 的ZnSnO_3 气敏传感器对乙醇的工作温度第42-44页
     ·掺入添加剂的气敏传感器电压特性和响应-恢复时间第44-46页
     ·SEM 分析第46-49页
     ·掺入La_2O_3,TiO_2 的ZnSnO_3 气敏传感器的工作周期对乙醇灵敏度的影响第49页
   ·本章结论第49-51页
4 ZNSNO_3 掺杂PDCL_2 制备氢敏传感器特性研究第51-57页
   ·引言第51页
   ·实验第51-52页
     ·PdCl_2 的掺入和传感器的制备第51页
     ·实验表征第51-52页
   ·实验结果和讨论第52-56页
     ·PdCl_2 不同掺杂量对气敏传感器灵敏度的影响第52-53页
     ·掺杂5wt% PdCl_2 气敏元件选择性的测定第53-54页
     ·最佳工作温度测定第54-55页
     ·电压特性曲线和响应-恢复时间第55页
     ·长期工作稳定性第55-56页
   ·小结第56-57页
5 复合氧化物半导体ZNSNO_3 传感器气敏机理研究第57-75页
   ·引言第57页
   ·金属氧化物半导体气敏机理第57-65页
     ·气敏机理模型第57-61页
     ·复合氧化物钙钛矿中的点缺陷第61-63页
     ·电阻式半导体气敏传感器的空间电荷层第63-65页
   ·ZNSNO_3 的气敏吸附机理第65-73页
     ·ZnSnO_3 半导体陶瓷的导电机理第65-68页
     ·ZnSnO_3 的表面反应过程第68-70页
     ·ZnSnO_3 的气敏特性第70-72页
     ·添加剂的作用机理第72-73页
   ·小结第73-75页
6 论文主要结论第75-77页
   ·主要结论第75-76页
   ·论文的创新之处第76-77页
致谢第77-79页
参考文献第79-87页
附录第87页
 攻读硕士学位期间发表的主要论文第87页

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