摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-9页 |
1 绪论 | 第9-29页 |
·概述 | 第9-11页 |
·半导体纳米粒子光催化作用的基础 | 第11-15页 |
·半导体的能带结构 | 第11-12页 |
·非晶半导体的能带结构 | 第12-13页 |
·非平衡载流子的光注入 | 第13-14页 |
·半导体/接触相界面结构 | 第14-15页 |
·电子、空穴的捕获 | 第15页 |
·半导体光催化反应速率、效率的影响因素 | 第15-18页 |
·催化剂的影响 | 第15-17页 |
·与降解条件有关的其它因素的影响 | 第17-18页 |
·具有吸附功能的复合催化剂的影响 | 第18页 |
·半导体光催化剂的研究进展 | 第18-22页 |
·悬浮相光催化氧化技术 | 第18-19页 |
·固定相光催化氧化技术 | 第19页 |
·TiO_2 半导体光催化剂的改性技术 | 第19-22页 |
·TiO_2 薄膜的制备技术 | 第22-24页 |
·化学气相沉积法 | 第22页 |
·溶胶-凝胶法 | 第22页 |
·溅射沉积法 | 第22-24页 |
·应用 | 第24-26页 |
·在有机污染物废水方面的应用 | 第24页 |
·在无机污染物废水方面的应用 | 第24页 |
·大气的净化 | 第24页 |
·杀毒、抗菌 | 第24-25页 |
·光解水制氢 | 第25-26页 |
·目前存在的问题 | 第26页 |
·论文工作的理论依据和设想 | 第26-29页 |
2 磁控溅射法制备二氧化钛薄膜 | 第29-39页 |
·溅射法镀膜靶材及工艺研究进展 | 第29-33页 |
·溅射镀膜工艺 | 第29页 |
·溅射镀膜原理 | 第29页 |
·溅射镀膜机理 | 第29-30页 |
·磁控溅射镀膜原理 | 第30-31页 |
·薄膜的生长理论 | 第31-32页 |
·以不同靶材镀二氧化钛薄膜的工艺 | 第32-33页 |
·磁控溅射法中薄膜生长过程与薄膜结构 | 第33-35页 |
·半导体薄膜材料掺杂的作用 | 第35-36页 |
·薄膜材料的特殊性 | 第36-39页 |
·表面能级很大 | 第36页 |
·薄膜的力学性质 | 第36-38页 |
·异常结构和非理想化学计量比特性 | 第38-39页 |
3 实验 | 第39-45页 |
·引言 | 第39-40页 |
·确定掺杂离子的理论依据 | 第40-41页 |
·本论文的溅射镀膜工艺 | 第41-43页 |
·实验设备及材料 | 第41-42页 |
·实验流程 | 第42页 |
·TiO_2-M 薄膜的制备 | 第42-43页 |
·TiO_2-M 薄膜试样的结构与性能测试 | 第43-45页 |
4 TiO_2-CR 薄膜的制备及性能研究 | 第45-63页 |
·引言 | 第45页 |
·TiO_2-CR 薄膜的XRD 分析 | 第45-46页 |
·TiO_2-CR 薄膜的XPS 分析 | 第46-49页 |
·TiO_2-CR 薄膜的AFM 分析 | 第49-50页 |
·TiO_2-CR 薄膜的紫外-可见吸收光谱分析 | 第50-51页 |
·TiO_2-CR 薄膜的光致发光光谱分析 | 第51-53页 |
·非晶TiO_2-CR 薄膜对亚甲基蓝溶液的光催化活性分析 | 第53-57页 |
·Cr 相对掺量对光催化活性的影响 | 第54-56页 |
·薄膜厚度对光催化活性的影响 | 第56-57页 |
·非晶TiO_2-CR 薄膜对罗丹明B 的光催化降解研究 | 第57-61页 |
·罗丹明B 的热稳定性 | 第57-58页 |
·罗丹明B 的光稳定稳定性 | 第58页 |
·TiO_2-Cr 非晶薄膜对罗丹明B 的吸附特性 | 第58页 |
·TiO_2-Cr 非晶薄膜对罗丹明B 的光催化降解 | 第58-61页 |
·TiO_2-CR 非晶薄膜的光催化性能分析 | 第61-62页 |
·本章小结 | 第62-63页 |
5 TiO_2-V 薄膜的制备及性能研究 | 第63-73页 |
·引言 | 第63页 |
·TiO_2-V 薄膜的XRD 分析 | 第63-64页 |
·TiO_2-V 薄膜的XPS 分析 | 第64-66页 |
·TiO_2-V 薄膜的紫外-可见光吸收光谱分析 | 第66-67页 |
·TiO_2-V 薄膜的光致发光光谱分析 | 第67-68页 |
·TiO_2-V 薄膜的光催化活性分析 | 第68-71页 |
·V 相对掺杂量对非晶TiO_2-V 薄膜光催化性能的影响 | 第68-69页 |
·膜厚对非晶TiO_2-V 薄膜光催化性能的影响 | 第69-70页 |
·溅射温度对非晶TiO_2-V 薄膜光催化性能的影响 | 第70-71页 |
·本章小结 | 第71-73页 |
6 结论 | 第73-75页 |
7 后续工作 | 第75-77页 |
致谢 | 第77-79页 |
参考文献 | 第79-85页 |
附录 | 第85页 |