| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·研究背景 | 第9页 |
| ·非晶硅太阳能电池 | 第9-10页 |
| ·a-Si:H薄膜的研究历史以及发展现状 | 第10-12页 |
| ·a-Si:H薄膜的研究历史 | 第10-11页 |
| ·a-Si:H薄膜的发展现状 | 第11-12页 |
| ·非晶硅薄膜的光致变化 | 第12-13页 |
| ·本论文的目的和研究内容 | 第13-15页 |
| 第2章 HW MWECR CVD沉积系统 | 第15-25页 |
| ·a-Si:H薄膜的制备方法与MWECR-CVD | 第15-21页 |
| ·a-Si:H薄膜的制备方法 | 第15-16页 |
| ·MWECR-CVD | 第16-21页 |
| ·a-Si:H薄膜的生长机制 | 第21-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 a-Si:H薄膜的光电特性 | 第25-45页 |
| ·a-Si:H的结构特点 | 第25-27页 |
| ·a-Si:H的能带模型 | 第27-28页 |
| ·a-Si:H中硅氢键的键合形式及其能量 | 第28-31页 |
| ·a-Si:H中硅氢键的各种键合形式 | 第28-29页 |
| ·H在a-Si:H中不同位置的能量 | 第29-31页 |
| ·a-Si:H的光学性质 | 第31-32页 |
| ·a-Si:H的电学性质 | 第32-40页 |
| ·非晶半导体的导电机理 | 第32-35页 |
| ·a-Si:H的暗电导 | 第35-36页 |
| ·a-Si:H的光电导 | 第36-37页 |
| ·a-Si:H光暗电导、光衰退性的测量 | 第37-40页 |
| ·Layer-By-Layer方法制备的a-Si:H薄膜光敏性研究 | 第40-43页 |
| ·Laye-By-Layer方法循环次数对光敏性的影响 | 第40-42页 |
| ·Layer-By-Layer方法中H稀释度的影响 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 a-Si:H薄膜光致衰退的研究 | 第45-67页 |
| ·a-Si:H薄膜光致衰退及其相关理论模型 | 第45-52页 |
| ·a-Si:H薄膜的SW效应 | 第45-46页 |
| ·SW效应的微观模型解释 | 第46-52页 |
| ·Si-H键对a-Si:H薄膜稳定性的影响 | 第52-58页 |
| ·关于亚稳态、运动的H | 第54-56页 |
| ·运动H的深俘获 | 第56-58页 |
| ·微晶化对a-Si:H薄膜稳定性的影响 | 第58-64页 |
| ·Layer-By-Layer 方法与传统制备方法的比较 | 第58-62页 |
| ·化学退火处理与传统制备方法的比较 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-67页 |
| 结论 | 第67-77页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
