磁控溅射TiO2薄膜与氧传感器的研究
| 第一章 绪论 | 第1-12页 |
| §1．1 国外气敏技术现状和发展趋势 | 第7-8页 |
| §1．2 国内气敏技术现状 | 第8-9页 |
| §1．3 氧传感器应用现状 | 第9-11页 |
| §1．4 本论文的主要研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 TiO_2薄膜氧敏特性 | 第12-21页 |
| §2．1 TiO_2氧敏机理 | 第12-13页 |
| §2．2 金属氧化物点缺陷理论 | 第13-19页 |
| 2．2．1 金属氧化物的点缺陷及其K-V符号 | 第13-15页 |
| 2．2．2 质量作用定律与点缺陷理论 | 第15-19页 |
| §2．3 掺杂对TiO_2氧敏性能的影响 | 第19-21页 |
| 2．3．1 掺杂贵金属作用机理 | 第19页 |
| 2．3．2 金属氧化物添加剂的作用机理 | 第19-20页 |
| 2．3．3 掺杂对TiO_2气敏性能的影响 | 第20-21页 |
| 第三章 直流磁控溅射 | 第21-32页 |
| §3．1 基本溅射过程 | 第21-26页 |
| 3．1．1 溅射机理 | 第22-23页 |
| 3．1．2 溅射率 | 第23-26页 |
| §3．2 直流磁控溅射 | 第26-27页 |
| §3．3 直流磁控溅射中应注意的问题和解决办法 | 第27-32页 |
| 第四章 反应磁控溅射制备TiO_2薄膜 | 第32-39页 |
| §4．1 影响溅射镀膜性质的因素 | 第32-33页 |
| 4．1．1 基片的净化 | 第32-33页 |
| 4．1．2 沉积速率的选择 | 第33页 |
| 4．1．3 基片温度 | 第33页 |
| §4．2 TiO_2薄膜的制备与结果分析 | 第33-39页 |
| 4．2．1 实验条件 | 第33-34页 |
| 4．2．2 实验结果及分析 | 第34-39页 |
| 第五章 TiO_2氧敏器件结构设计 | 第39-41页 |
| §5．1 TiO_2氧敏器件的结构 | 第39-41页 |
| 第六章 TiO_2氧敏器件的分析 | 第41-48页 |
| §6．1 测试气氛条件 | 第41-43页 |
| §6．2 测试电路 | 第43页 |
| §6．3 实验结果与分析 | 第43-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第53页 |
