| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| 第一节 集成电路的迅猛发展 | 第7-9页 |
| 第二节 不挥发存储器的发展和可靠性问题的提出 | 第9-12页 |
| 第三节 论文涉及的主要内容 | 第12-13页 |
| 第二章 可靠性问题的基本理论 | 第13-21页 |
| 第一节 可靠性工作的意义与内容 | 第13-14页 |
| §2.1.1 可靠性工作的意义 | 第13页 |
| §2.1.2 可靠性工作的内容 | 第13-14页 |
| 第二节 可靠性常用的数学模型 | 第14-21页 |
| §2.2.1 可靠性的一般概念 | 第14-16页 |
| §2.2.2 可靠性寿命分析常用的模型 | 第16-21页 |
| 第三章 NVM工艺可靠性的要求和检测 | 第21-48页 |
| 第一节 氧化层可靠性 | 第22-31页 |
| §3.1.1 经时绝缘击穿(TDDB) | 第22-26页 |
| §3.1.2 斜坡电压(Vramp) | 第26-28页 |
| §3.1.3 斜坡电流(Jramp) | 第28-30页 |
| §3.1.4 工艺改善 | 第30-31页 |
| 第二节 器件可靠性 | 第31-42页 |
| §3.2.1 热载流子注入(HCI) | 第31-39页 |
| §3.2.2 负偏压温度不稳定性(NBTI) | 第39-42页 |
| 第三节 金属互连可靠性 | 第42-48页 |
| §3.3.1 电迁移(EM) | 第42-48页 |
| 第四章 NVM产品可靠性的要求和检测 | 第48-86页 |
| 第一节 不挥发存储器构造和工作机制 | 第49-56页 |
| §4.1.1 不挥发存储器的构造 | 第49-51页 |
| §4.1.2 不挥发存储器的工作机制 | 第51-56页 |
| 第二节 耐久力(Endurance)可靠性 | 第56-68页 |
| §4.2.1 测试和失效机理简介 | 第56-57页 |
| §4.2.2 相关可靠性要求 | 第57-58页 |
| §4.2.3 编程模式效应 | 第58-59页 |
| §4.2.4 单一单元耐久力效应 | 第59-62页 |
| §4.2.5 隧道氧化层和掩埋离子注入层错位的影响—测试和分析 | 第62-66页 |
| §4.2.6 tail/erratic bit效应 | 第66-68页 |
| 第三节 数据保持力(Data Retention)可靠性 | 第68-77页 |
| §4.3.1 保持力的测试与特性 | 第68-69页 |
| §4.3.2 加速模型和可靠性要求 | 第69-70页 |
| §4.3.3 保持力中经前期擦写的SILC和trap/de-trap效应 | 第70-72页 |
| §4.3.4 数据保持力图形的敏感性要求和选取—测试和分析 | 第72-75页 |
| §4.3.5 NVM产品出货前的数据烘烤要求 | 第75-77页 |
| 第四节 干扰(Disturb)可靠性 | 第77-80页 |
| §4.4.1 干扰的机制利影响 | 第77-78页 |
| §4.4.2 干扰的测试和要求 | 第78-80页 |
| 第五节 高温操作寿命(HTOL) | 第80-83页 |
| §4.5.1 HTOL测试和加速模型 | 第80-81页 |
| §4.5.2 FIT的计算和可靠性标准 | 第81-83页 |
| 第六节 新近测试方法 | 第83-86页 |
| §4.6.1 擦写循环endurance | 第83-84页 |
| §4.6.2 经前期擦写循环的高温数据保持力测试(post-cycled DRB) | 第84-86页 |
| 第五章 总结和展望 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
