| 摘要 | 第2-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 1 国内外相关领域研究进展 | 第11-29页 |
| 1.1 半导体光催化技术的研究概况 | 第11-17页 |
| 1.1.1 光催化技术的基本原理 | 第11-12页 |
| 1.1.2 光催化技术的常见应用 | 第12-15页 |
| 1.1.3 光催化技术存在的问题 | 第15页 |
| 1.1.5 提高光催化剂能量效率的主要途径 | 第15-17页 |
| 1.2 硅材料作为光催化剂的研究现状 | 第17-20页 |
| 1.2.1 分解水制氢 | 第17-18页 |
| 1.2.2 降解有机污染物 | 第18页 |
| 1.2.3 还原CO_2及固氮 | 第18-19页 |
| 1.2.4 光诱导单线态氧的生成 | 第19页 |
| 1.2.5 硅材料存在的主要问题 | 第19-20页 |
| 1.3 硅材料保护层简介 | 第20-22页 |
| 1.3.1 金属 | 第20页 |
| 1.3.2 金属氧化物 | 第20页 |
| 1.3.3 导电聚合物 | 第20-21页 |
| 1.3.4 碳材料 | 第21-22页 |
| 1.3.5 其他 | 第22页 |
| 1.4 TiO_2基材料概述 | 第22-25页 |
| 1.4.1 TiO_2的结构和特性 | 第22页 |
| 1.4.2 缺陷态TiO_x的结构和特性 | 第22-23页 |
| 1.4.3 缺陷态TiO_x的制备 | 第23-24页 |
| 1.4.4 缺陷态TiO_x的应用 | 第24-25页 |
| 1.5 SnO_2材料概述 | 第25-27页 |
| 1.5.1 SnO_2的结构和特性 | 第25-26页 |
| 1.5.2 SnO_2的制备方法 | 第26页 |
| 1.5.3 SnO_2的常见应用 | 第26-27页 |
| 1.6 选题的依据、目的、意义和内容 | 第27-29页 |
| 1.6.1 选题依据和研究目的 | 第27-28页 |
| 1.6.2 研究内容 | 第28页 |
| 1.6.3 研究意义 | 第28-29页 |
| 2 TiO_x-Si光电极的制备及其光电化学性能研究 | 第29-42页 |
| 2.1 实验部分 | 第29-32页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第29页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第29-30页 |
| 2.1.3 实验材料 | 第30页 |
| 2.1.4 TiO_x-Si光电极的制备 | 第30-31页 |
| 2.1.5 TiO_x-Si光电极的表征 | 第31-32页 |
| 2.2 结果与讨论 | 第32-41页 |
| 2.2.1 TiO_x-Si光电极的形貌表征 | 第32-33页 |
| 2.2.2 结构表征 | 第33-37页 |
| 2.2.3 光吸收性能表征 | 第37-38页 |
| 2.2.4 光电化学性能表征 | 第38-41页 |
| 2.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 3 SnO_2-Si光电极的制备及其降解苯酚性能研究 | 第42-53页 |
| 3.1 实验部分 | 第42-45页 |
| 3.1.1 实验试剂 | 第42页 |
| 3.1.2 实验材料 | 第42-43页 |
| 3.1.3 实验仪器 | 第43页 |
| 3.1.4 SnO_2-Si光电极的制备 | 第43-44页 |
| 3.1.5 SnO_2-Si光电极的表征 | 第44-45页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第45-51页 |
| 3.2.1 SnO_2-Si光电极的形貌表征 | 第45-46页 |
| 3.2.2 结构表征 | 第46-47页 |
| 3.2.3 光吸收性能表征 | 第47-48页 |
| 3.2.4 SnO_2厚度和结晶度优化及光电化学性能表征 | 第48-49页 |
| 3.2.5 SnO_2-Si的光电催化及机理分析 | 第49-51页 |
| 3.3 本章小结 | 第51-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
