| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| 1.1 二维材料的兴起与发展 | 第8-14页 |
| 1.1.1 石墨烯 | 第10-11页 |
| 1.1.2 六方氮化硼(h-BN) | 第11-12页 |
| 1.1.3 过渡族金属硫族化合物(TMDCs) | 第12-13页 |
| 1.1.4 单质二维材料 | 第13-14页 |
| 1.2 二维材料的合成方法 | 第14-19页 |
| 1.2.1 机械剥离法 | 第15-16页 |
| 1.2.2 液相剥离法 | 第16-17页 |
| 1.2.3 液相合成法 | 第17-18页 |
| 1.2.4 气相沉积法 | 第18-19页 |
| 1.3 气相沉积生长二维材料的衬底选择 | 第19-22页 |
| 1.3.1 催化性衬底 | 第20-21页 |
| 1.3.2 非催化性衬底 | 第21-22页 |
| 1.4 选题思路和意义 | 第22-24页 |
| 第二章 循环常压化学气相沉积制备连续均一的单层石墨烯薄膜 | 第24-43页 |
| 2.1 引言 | 第24-25页 |
| 2.2 实验部分 | 第25-28页 |
| 2.2.1 实验的试剂和设备 | 第25-26页 |
| 2.2.2 严格的单层石墨烯的合成 | 第26-27页 |
| 2.2.3 单层石墨烯的器件构筑 | 第27-28页 |
| 2.2.4 石墨烯的表征 | 第28页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第28-42页 |
| 2.3.1 生长过程及表征 | 第28-35页 |
| 2.3.2 生长机理探讨 | 第35-41页 |
| 2.3.3 电学性能测试 | 第41-42页 |
| 2.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 大尺寸单晶h-BN的化学气相沉积制备 | 第43-57页 |
| 3.1 引言 | 第43-44页 |
| 3.2 实验部分 | 第44-47页 |
| 3.2.1 实验的试剂和设备 | 第44-45页 |
| 3.2.2 h-BN的气相生长 | 第45-47页 |
| 3.2.3 h-BN的表征 | 第47页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第47-55页 |
| 3.3.1 h-BN的表征 | 第47-49页 |
| 3.3.2 h-BN尺寸和形貌的调控 | 第49-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 结论 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第71页 |