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SnS2层状材料的制备、减薄及其气敏性能的研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第9-26页
    1.1 背景第9-10页
    1.2 半导体气体传感器第10-12页
    1.3 金属硫化物半导体第12-14页
    1.4 二硫化锡半导体材料第14-24页
    1.5 选题意义及研究内容第24-26页
2 实验材料、装置与方法第26-34页
    2.1 试剂与仪器第26-27页
    2.2 材料的表征方法第27-29页
    2.3 气敏性能的测试第29-34页
3 厚片SnS_2纳米材料的制备及其气敏、光电性能的研究第34-46页
    3.1 引言第34-36页
    3.2 厚片SnS_2纳米材料及器件的制备第36页
    3.3 厚片SnS_2纳米材料的表征第36-40页
    3.4 厚片SnS_2气敏及其光电性能的研究第40-44页
    3.5 氨气与厚片SnS_2表面气固作用机理第44-45页
    3.6 本章小结第45-46页
4 薄片SnS_2纳米材料的制备及其性能研究第46-57页
    4.1 引言第46-47页
    4.2 薄片SnS_2的制备及其机理第47-49页
    4.3 薄片SnS_2的表征第49-54页
    4.4 薄片SnS_2室温氨气气敏性能的研究第54-56页
    4.5 本章小结第56-57页
5 全文总结与展望第57-59页
    5.1 全文总结第57-58页
    5.2 本文创新之处第58页
    5.3 工作展望第58-59页
致谢第59-60页
参考文献第60-65页
附录 攻读硕士学位期间发表的论文第65页

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