给受体型格芳烃的纳米合成及其电荷俘获晶体管存储器
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 专用术语注释表 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 有机晶体管存储器的发展及工作原理 | 第10-12页 |
| 1.3 给受体型场效应晶体管材料 | 第12-13页 |
| 1.4 有机半导体材料的结构设计 | 第13-15页 |
| 1.5 有机纳米格的提出和发展 | 第15-18页 |
| 1.6 课题提出与设计 | 第18-20页 |
| 第二章 芴基D-A型二元格芳烃的设计合成及其性能 | 第20-48页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 实验部分 | 第20-32页 |
| 2.2.1 实验原料和试剂 | 第20-22页 |
| 2.2.2 综合测试与表征 | 第22-23页 |
| 2.2.3 合成实验 | 第23-32页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第32-47页 |
| 2.3.1 合成与结构表征 | 第32-39页 |
| 2.3.2 光学性质 | 第39-42页 |
| 2.3.3 电化学性质 | 第42-43页 |
| 2.3.4 表面形貌 | 第43-44页 |
| 2.3.5 有机场效应晶体管存储性能 | 第44-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 芴基二元格芳烃的异构体分析及性能比较 | 第48-64页 |
| 3.1 引言 | 第48页 |
| 3.2 实验部分 | 第48-50页 |
| 3.2.1 实验试剂和原料 | 第48-49页 |
| 3.2.2 综合测试与表征 | 第49页 |
| 3.2.3 二元格异构体的分离 | 第49-50页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第50-63页 |
| 3.3.1 结构表征与分析 | 第50-56页 |
| 3.3.2 光学性质 | 第56-57页 |
| 3.3.3 电化学性质 | 第57-59页 |
| 3.3.4 薄膜形貌 | 第59页 |
| 3.3.5 有机场效应晶体管存储性能 | 第59-63页 |
| 3.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 芴基D-A型多元格芳烃的合成及其性能 | 第64-81页 |
| 4.1 引言 | 第64-65页 |
| 4.2 实验部分 | 第65-68页 |
| 4.2.1 实验原料和试剂 | 第65页 |
| 4.2.2 综合测试与表征 | 第65页 |
| 4.2.3 合成实验 | 第65-68页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第68-80页 |
| 4.3.1 合成与结构表征 | 第68-74页 |
| 4.3.2 光学性质 | 第74-76页 |
| 4.3.3 电化学性质 | 第76-78页 |
| 4.3.4 有机场效应晶体管存储性能 | 第78-80页 |
| 4.4 本章小结 | 第80-81页 |
| 第五章 总结与展望 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
| 附录1 程序清单 | 第86-96页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第96-97页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第97-98页 |
| 附录4 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第98-99页 |
| 致谢 | 第99页 |
