| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 半导体器件模拟的发展动态 | 第9-10页 |
| 1.2 半导体器件模拟的简介 | 第10-11页 |
| 1.3 半导体异质结的发展概况 | 第11-12页 |
| 1.4 本文的主要工作与创新 | 第12页 |
| 1.5 本论文的结构安排 | 第12-13页 |
| 第二章 半导体异质结的物理理论 | 第13-27页 |
| 2.1 异质结的基础理论 | 第13-18页 |
| 2.1.1 异质结的能带结构 | 第13-15页 |
| 2.1.2 异质结的内建电势差 | 第15-18页 |
| 2.2 异质结模拟的重要物理模型 | 第18-23页 |
| 2.2.1 漂移扩散模型 | 第18-19页 |
| 2.2.2 异质结界面的电流密度计算模型 | 第19-22页 |
| 2.2.3 变量的缩放 | 第22-23页 |
| 2.3 迁移率模型 | 第23-25页 |
| 2.3.1 Analytic Low-Field Mobility Model | 第24页 |
| 2.3.2 速度饱和效应修正的迁移率模型 | 第24-25页 |
| 2.4 碰撞电离模型 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 半导体异质结的数值计算 | 第27-42页 |
| 3.1 数值模拟的网格技术 | 第27-29页 |
| 3.1.1 网格划分 | 第27-28页 |
| 3.1.2 网格的数据结构 | 第28-29页 |
| 3.2 有限体积法离散 | 第29-33页 |
| 3.3 边界条件的处理 | 第33-36页 |
| 3.3.1 Neumann边界条件 | 第33-34页 |
| 3.3.2 欧姆接触电极 | 第34页 |
| 3.3.3 肖特基接触电极 | 第34-35页 |
| 3.3.4 异质结界面边界条件 | 第35-36页 |
| 3.4 非线性方程组的牛顿迭代法 | 第36-41页 |
| 3.4.1 Jacobian矩阵的构造 | 第37-38页 |
| 3.4.2 自动微分技术 | 第38-40页 |
| 3.4.3 方程组求解的收敛判据 | 第40-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 异质结器件模拟结果的分析 | 第42-58页 |
| 4.1 异质结模拟的基本流程 | 第42-44页 |
| 4.2 仿真材料的合理添加 | 第44-47页 |
| 4.3 异质结二极管仿真模型的设置 | 第47-49页 |
| 4.4 异质结器件仿真结果与分析 | 第49-57页 |
| 4.4.1 平衡态内建电势差 | 第49-50页 |
| 4.4.2 正向电流电压特性曲线 | 第50-56页 |
| 4.4.3 反向电流电压特性曲线 | 第56-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结束语 | 第58-59页 |
| 5.1 本文的主要贡献 | 第58页 |
| 5.2 不足之处 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |