| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| 引言 | 第9页 |
| 1.1 染料的介绍 | 第9-10页 |
| 1.2 染料废水 | 第10-14页 |
| 1.2.1 染料废水的来源 | 第10页 |
| 1.2.2 染料废水的特点 | 第10-11页 |
| 1.2.3 染料废水的危害 | 第11页 |
| 1.2.4 染料废水处理方法及其研究近况 | 第11-14页 |
| 1.3 关于光催化氧化技术的研究概况 | 第14-19页 |
| 1.3.1 光催化及光催化剂 | 第14页 |
| 1.3.2 半导体光催化材料的发展历程 | 第14页 |
| 1.3.3 半导体光催化作用机理 | 第14-16页 |
| 1.3.4 半导体光催化材料分类 | 第16-19页 |
| 1.4 三元金属硫化物光催化剂的研究进展 | 第19-21页 |
| 1.5 三元金属硫化物制备方法 | 第21-24页 |
| 1.6 提高三元金属硫化物光催化性能的常用方法 | 第24-25页 |
| 1.6.1 元素掺杂 | 第24页 |
| 1.6.2 半导体复合 | 第24-25页 |
| 1.7 SnIn_4S_8光催化剂的研究进展 | 第25-26页 |
| 1.8 论文选题意义及研究内容 | 第26-27页 |
| 1.8.1 论文选题意义 | 第26页 |
| 1.8.2 论文研究内容 | 第26-27页 |
| 第二章 SnIn_4S_8低温共沉淀法的制备 | 第27-43页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 实验材料及仪器设备 | 第27-28页 |
| 2.2.1 主要化学试剂 | 第27-28页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第28页 |
| 2.3 SnIn_4S_8的制备 | 第28页 |
| 2.4 光催化剂的表征 | 第28-30页 |
| 2.4.1 X-射线粉末衍射(XRD) | 第28-29页 |
| 2.4.2 紫外-可见漫反射(UV-Vis DRS) | 第29页 |
| 2.4.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第29页 |
| 2.4.4 比表面积测定(BET) | 第29页 |
| 2.4.5 电化学性能测试 | 第29-30页 |
| 2.5 催化剂可见光催化降解甲基橙反应性能 | 第30-31页 |
| 2.5.1 甲基橙水溶液浓度测定方法的确定 | 第30页 |
| 2.5.2 光催化反应实验装置 | 第30-31页 |
| 2.5.3 甲基橙在催化剂SnIn_4S_8上的吸附和光催化降解反应 | 第31页 |
| 2.6 结果与讨论 | 第31-41页 |
| 2.6.1 X射线衍射分析(XRD) | 第31-32页 |
| 2.6.2 扫描电镜分析(SEM) | 第32-33页 |
| 2.6.3 EDS分析 | 第33-34页 |
| 2.6.4 紫外漫反射分析 | 第34-35页 |
| 2.6.5 比表面积分析 | 第35-37页 |
| 2.6.6 SnIn_4S_8的光催化性能 | 第37-38页 |
| 2.6.7 SnIn_4S_8的光催化机理分析 | 第38-41页 |
| 2.6.8 SnIn_4S_8的重复利用性 | 第41页 |
| 2.7 本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 g-C_3N_4/SnIn_4S_8复合光催化剂的制备 | 第43-61页 |
| 3.1 前言 | 第43页 |
| 3.2 实验材料及仪器设备 | 第43-44页 |
| 3.2.1 主要化学试剂 | 第43-44页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第44页 |
| 3.3 g-C_3N_4/SnIn_4S_8复合光催化剂的的制备 | 第44-45页 |
| 3.3.1 g-C_3N_4的制备 | 第44页 |
| 3.3.2 g-C_3N_4/Sn In4S8复合光催化剂的的制备 | 第44-45页 |
| 3.4 光催化剂的表征 | 第45-47页 |
| 3.4.1 X-射线粉末衍射(XRD) | 第45页 |
| 3.4.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第45-46页 |
| 3.4.3 透射电子显微镜(TEM) | 第46页 |
| 3.4.4 紫外-可见漫反射(UV-Vis DRS) | 第46页 |
| 3.4.5 固体荧光测试 | 第46页 |
| 3.4.6 光电流测试 | 第46页 |
| 3.4.7 比表面积测定（BET） | 第46-47页 |
| 3.5 催化剂可见光催化降解甲基橙反应性能 | 第47-48页 |
| 3.5.1 甲基橙水溶液浓度测定方法的确定 | 第47页 |
| 3.5.2 光催化反应实验装置 | 第47-48页 |
| 3.5.3 甲基橙在催化剂g-C_3N_4/SnIn_4S_8上的吸附和光催化降解反应 | 第48页 |
| 3.6 结果与讨论 | 第48-59页 |
| 3.6.1 X射线衍射分析(XRD) | 第48-49页 |
| 3.6.2 扫描电镜分析（SEM） | 第49-50页 |
| 3.6.3 透射电镜分析（TEM） | 第50页 |
| 3.6.4 EDS分析 | 第50-51页 |
| 3.6.5 光学性质分析 | 第51-54页 |
| 3.6.6 比表面积分析 | 第54-55页 |
| 3.6.7 光催化性能研究 | 第55-56页 |
| 3.6.8 光催化机理分析 | 第56-58页 |
| 3.6.9 15% g-C_3N_4/SnIn_4S_8的重复利用性 | 第58-59页 |
| 3.7 本章小结 | 第59-61页 |
| 结论与展望 | 第61-62页 |
| 结论 | 第61页 |
| 展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-69页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
