| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-41页 |
| 1.1 引言 | 第13-16页 |
| 1.2 氧化物薄膜晶体管的发展 | 第16-18页 |
| 1.3 电极材料的发展 | 第18-25页 |
| 1.4 薄膜晶体管的工作原理 | 第25-29页 |
| 1.4.1 薄膜晶体管的结构 | 第25-26页 |
| 1.4.2 电流-电压特性 | 第26-29页 |
| 1.5 薄膜晶体管的性能参数 | 第29-36页 |
| 1.5.1 阈值电压 | 第29-30页 |
| 1.5.2 迁移率 | 第30-31页 |
| 1.5.3 亚阈值摆幅 | 第31-32页 |
| 1.5.4 接触电阻 | 第32-35页 |
| 1.5.5 本征场效应迁移率和阈值电压 | 第35-36页 |
| 1.6 表征手段 | 第36-39页 |
| 1.6.1 X射线衍射 | 第36页 |
| 1.6.2 X射线反射率 | 第36-37页 |
| 1.6.3 X射线光电子能谱 | 第37页 |
| 1.6.4 透射电子显微镜 | 第37-38页 |
| 1.6.5 微波光电导衰减测试 | 第38页 |
| 1.6.6 四探针测试仪 | 第38-39页 |
| 1.6.7 胶带法 | 第39页 |
| 1.6.8 薄膜晶体管电学性能 | 第39页 |
| 1.7 本文的主要研究内容 | 第39-41页 |
| 第二章 非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备及铜电极的影响 | 第41-71页 |
| 2.1 引言 | 第41页 |
| 2.2 有源层的制备条件对薄膜晶体管性能的影响 | 第41-51页 |
| 2.2.1 器件制备 | 第41-42页 |
| 2.2.2 氧含量的影响 | 第42-45页 |
| 2.2.3 溅射气压的影响 | 第45-49页 |
| 2.2.4 退火温度的影响 | 第49-51页 |
| 2.3 铜电极的影响 | 第51-69页 |
| 2.3.1 Cu薄膜的制备 | 第51-54页 |
| 2.3.2 Cu电极的溅射条件对a-IGZOTFT性能的影响 | 第54-60页 |
| 2.3.3 热处理对铜电极TFT性能的影响 | 第60-64页 |
| 2.3.4 使用Cu2O掺杂a-IGZOTFT的研究 | 第64-69页 |
| 2.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第三章 铜/钼叠层源漏电极氧化物薄膜晶体管的制备 | 第71-83页 |
| 3.1 引言 | 第71页 |
| 3.2 Mo薄膜的制备 | 第71-74页 |
| 3.2.1 薄膜制备 | 第71-72页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第72-74页 |
| 3.3 Mo电极TFT的制备 | 第74-76页 |
| 3.3.1 器件制备 | 第74页 |
| 3.3.2 结果与讨论 | 第74-76页 |
| 3.4 Cu/Mo叠层电极TFT | 第76-82页 |
| 3.4.1 器件制备 | 第76-77页 |
| 3.4.2 器件性能 | 第77-79页 |
| 3.4.3 接触特性 | 第79-81页 |
| 3.4.4 透射电子显微镜界面分析 | 第81-82页 |
| 3.4.5 结合强度 | 第82页 |
| 3.5 本章小结 | 第82-83页 |
| 第四章 铜/ITO叠层源漏电极氧化物薄膜晶体管的制备 | 第83-95页 |
| 4.1 引言 | 第83页 |
| 4.2 ITO薄膜的制备 | 第83-86页 |
| 4.2.1 薄膜制备 | 第83-84页 |
| 4.2.2 结果与讨论 | 第84-86页 |
| 4.3 ITO电极TFT | 第86-88页 |
| 4.3.1 器件制备 | 第86-87页 |
| 4.3.2 结果与讨论 | 第87-88页 |
| 4.4 Cu/ITO叠层电极器件 | 第88-94页 |
| 4.4.1 器件制备 | 第88-89页 |
| 4.4.2 器件性能 | 第89-91页 |
| 4.4.3 接触特性 | 第91-93页 |
| 4.4.4 透射电子显微镜界面分析 | 第93-94页 |
| 4.4.5 结合强度 | 第94页 |
| 4.5 本章小结 | 第94-95页 |
| 第五章 铜铬合金源漏电极及其氧化物薄膜晶体管研究 | 第95-111页 |
| 5.1 引言 | 第95页 |
| 5.2 铜铬合金薄膜的制备 | 第95-101页 |
| 5.2.1 溅射功率和气压的影响 | 第95-98页 |
| 5.2.2 退火温度的影响 | 第98-99页 |
| 5.2.3 合金成分的影响 | 第99-101页 |
| 5.3 溅射条件对铜铬合金源漏电极TFT的影响 | 第101-103页 |
| 5.3.1 器件制备 | 第101页 |
| 5.3.2 结果与讨论 | 第101-103页 |
| 5.4 铜铬合金源漏电极TFT的制备 | 第103-110页 |
| 5.4.1 器件制备 | 第103-104页 |
| 5.4.2 器件性能 | 第104-106页 |
| 5.4.3 接触特性 | 第106-109页 |
| 5.4.4 XPS分析 | 第109-110页 |
| 5.4.5 结合强度 | 第110页 |
| 5.5 本章小结 | 第110-111页 |
| 第六章 高迁移率氧化物薄膜晶体管制备及研究 | 第111-128页 |
| 6.1 引言 | 第111页 |
| 6.2 a-IGZO有源层TFT | 第111-120页 |
| 6.2.1 器件制备 | 第111-112页 |
| 6.2.2 器件性能 | 第112-114页 |
| 6.2.3 接触特性 | 第114-115页 |
| 6.2.4 透射电子显微镜界面分析 | 第115-116页 |
| 6.2.5 XPS分析 | 第116页 |
| 6.2.6 Al2O3的溅射对a-IGZO薄膜导电性的影响 | 第116-118页 |
| 6.2.7 电极材料的影响 | 第118-119页 |
| 6.2.8 工作机制 | 第119-120页 |
| 6.3 NAIZO有源层TFT | 第120-126页 |
| 6.3.1 器件制备 | 第120-121页 |
| 6.3.2 器件性能 | 第121-123页 |
| 6.3.3 接触特性 | 第123-125页 |
| 6.3.4 透射电子显微镜界面分析 | 第125-126页 |
| 6.3.5 正负偏压稳定性 | 第126页 |
| 6.4 本章小结 | 第126-128页 |
| 结论和展望 | 第128-130页 |
| 参考文献 | 第130-138页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第138-141页 |
| 致谢 | 第141-142页 |
| 附件 | 第142页 |
