| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第14-16页 |
| 缩略语对照表 | 第16-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-31页 |
| 1.1 GaN材料简介 | 第19-20页 |
| 1.2 毫米波及太赫兹波简介 | 第20-22页 |
| 1.3 毫米波及太赫兹波辐射源简介 | 第22-24页 |
| 1.4 GaN基IMPATT器件研究背景 | 第24-27页 |
| 1.5 GaN基IMPATT器件研究现状与存在问题 | 第27-29页 |
| 1.6 本文安排 | 第29-31页 |
| 第二章 GaN基IMPATT二极管工作原理及仿真方法 | 第31-45页 |
| 2.1 雪崩倍增 | 第31-33页 |
| 2.2 雪崩渡越二极管的器件结构及工作原理 | 第33-39页 |
| 2.2.1 雪崩渡越二极管的工作原理 | 第33-36页 |
| 2.2.2 雪崩渡越二极管的器件结构 | 第36-38页 |
| 2.2.3 IMPATT器件的交流电压调制因子 | 第38-39页 |
| 2.3 Silvaco-Altlas仿真平台简介 | 第39-43页 |
| 2.3.1 Silvaco-Atlas的基本方程 | 第39-42页 |
| 2.3.2 Silvaco-Atlas仿真模拟过程 | 第42-43页 |
| 2.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第三章 GaN基IMPATT二极管特性研究 | 第45-61页 |
| 3.1 GaN基IMPATT结构设计及主要器件参数 | 第45-46页 |
| 3.2 GaN基IMPATT直流及交流特性研究 | 第46-59页 |
| 3.2.1 雪崩结P型区浓度对GaNIMPATT特性的影响 | 第46-49页 |
| 3.2.2 雪崩区浓度对GaNIMPATT特性的影响 | 第49-51页 |
| 3.2.3 雪崩区宽度对GaNIMPATT特性的影响 | 第51-54页 |
| 3.2.4 漂移区浓度对GaNIMPATT特性的影响 | 第54-57页 |
| 3.2.5 漂移区宽度对GaNIMPATT特性的影响 | 第57-59页 |
| 3.3 本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 负微分迁移率效应对IMPATT器件性能的增强作用 | 第61-83页 |
| 4.1 本章研究背景 | 第61-63页 |
| 4.2 GaN材料速场关系及模型 | 第63-67页 |
| 4.2.1 GaN的电子速场关系介绍 | 第64-65页 |
| 4.2.2 GaN电子速场关系的解析模型 | 第65-67页 |
| 4.3 空间电荷效应及其影响 | 第67-68页 |
| 4.4 器件结构和仿真方法 | 第68-72页 |
| 4.5 负微分迁移率效应对器件性能的增强机理 | 第72-80页 |
| 4.6 本章小结 | 第80-83页 |
| 第五章 各向异性对GaN基IMPATT器件工作性能的影响 | 第83-99页 |
| 5.1 本章研究背景简介 | 第83-84页 |
| 5.2 用于各向异性研究的器件结构,参数 | 第84-86页 |
| 5.2.1 用于各向异性研究的器件结构设计 | 第84页 |
| 5.2.2 GaN材料参数的各向异性 | 第84-86页 |
| 5.3 GaN的各向异性对IMPATT器件性能的影响分析 | 第86-97页 |
| 5.3.1 各向异性对直流特性的影响 | 第86-88页 |
| 5.3.2 各向异性对交流特性的影响 | 第88-97页 |
| 5.4 本章小结 | 第97-99页 |
| 第六章 GaN基IMPATT二极管串联电阻效应研究 | 第99-109页 |
| 6.1 研究方法及电路 | 第99-100页 |
| 6.2 串联电阻效应对GaN基IMPATT性能的衰减作用分析 | 第100-106页 |
| 6.3 GaN欧姆接触工艺介绍 | 第106-107页 |
| 6.3.1 N型GaN欧姆接触发展现状 | 第106页 |
| 6.3.2 P型GaN欧姆接触发展现状 | 第106-107页 |
| 6.4 P型GaN欧姆接触带来的问题和解决方案 | 第107-108页 |
| 6.5 本章小结 | 第108-109页 |
| 第七章 总结和展望 | 第109-113页 |
| 7.1 研究总结 | 第109-110页 |
| 7.2 未来工作展望 | 第110-113页 |
| 参考文献 | 第113-123页 |
| 致谢 | 第123-125页 |
| 作者简介 | 第125-127页 |
