首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--场效应器件论文--金属-氧化物-半导体(MOS)器件论文

电荷泵及MOSFET测试失效的控制研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-10页
第一章 半导体产业及测试简介第10-23页
   ·半导体产业发展第10-12页
     ·集成电路产业的发展第10-11页
     ·分立器件产业的发展第11-12页
   ·半导体制造工艺流程简介第12-18页
     ·设计第12-13页
     ·芯片制造第13-16页
     ·封装第16-17页
     ·测试第17页
     ·失效产品分析、可靠性分析第17-18页
   ·我国半导体产业各环节的比重第18-19页
   ·测试在半导体产业中的意义第19页
   ·测试中的经济意义第19-21页
     ·测试成本的定义第20页
     ·测试成本及利润分析第20-21页
     ·十倍法则第21页
   ·测试缺陷等级第21页
   ·测试中所存在的问题第21-22页
   ·本文主要内容第22页
 本章小结第22-23页
第二章 电荷泵、MOSFET测试原理及设备第23-50页
   ·charge-pump工作原理第23-32页
     ·相关charge-pump产品分析第25-32页
   ·MOSFET工作原理第32-37页
     ·MOSFET相关产品分析第34-37页
   ·charge-pump参数测试原理第37-38页
   ·MOSFET参数测试原理第38-43页
     ·MOSFET基本电参数第38-39页
     ·MOSFET雪崩击穿测试第39-41页
     ·MOSFET热阻测试第41-42页
     ·MOSFET gate charge测试第42-43页
   ·相关测试设备介绍第43-45页
     ·分选机简介第43-45页
     ·测试机简介第45页
     ·特种测试机简介第45页
   ·失效分析方法介绍第45-46页
   ·失效分析设备介绍第46-49页
 本章小结第49-50页
第三章 成测失效控制措施研究第50-65页
   ·调整失效控制线的研究第50-61页
     ·针对charge-pump产品调整失效控制线第52-57页
     ·针对MOSFET产品调整失效控制线第57-61页
   ·人为因素可能造成的失效控制第61-62页
   ·伪失效控制的研究第62-64页
     ·charge-pump测试常规伪失效控制及改良第62-63页
     ·MOSFET测试中常规伪失效控制及改良第63-64页
 本章小结第64-65页
第四章 测试设备不足及改良的研究第65-74页
   ·不同种类测试机之间存在的差异性第65-68页
   ·测试机的SPC测试机制第68-70页
   ·分选机可能造成的逻辑混乱及防呆措施第70-73页
 本章小结第73-74页
第五章 产品失效分析及工艺研究第74-81页
   ·反馈至FAB制造中的缺陷第74-75页
   ·反馈至封装工艺中的缺陷第75-79页
   ·反馈至设计中的缺陷第79-80页
 本章小结第80-81页
第六章 采集数据及控制应用软件第81-86页
   ·Excel vba介绍及相关应用第81-84页
   ·labview介绍及相关应用第84-85页
 本章小结第85-86页
第七章 总结及未来的展望第86-88页
   ·本文总结第86-87页
   ·目前测试尚存在待解决的问题第87页
   ·未来展望第87-88页
附录第88-93页
 Excel收集correlation数据vba代码第88-93页
参考文献第93-95页
后记第95-96页

论文共96页,点击 下载论文
上一篇:主权基金的国际发展及对我国的启示
下一篇:国家电网公司海外电力业务并购的法律风险分析