| 摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第14-32页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 GaN的晶体结构和基本性质 | 第15-17页 |
| 1.2.1 GaN的晶体结构 | 第15-16页 |
| 1.2.2 GaN的基本性质 | 第16-17页 |
| 1.3 GaN单晶的不同生长方法 | 第17-23页 |
| 1.3.1 Na助熔剂法 | 第17-18页 |
| 1.3.2 高压氮溶液生长法 | 第18-19页 |
| 1.3.3 氨热生长法 | 第19-20页 |
| 1.3.4 氢化物气相外延法 | 第20-23页 |
| 1.4 GaN外延生长所用的衬底 | 第23-24页 |
| 1.4.1 蓝宝石衬底 | 第24页 |
| 1.4.2 6H-SiC衬底 | 第24页 |
| 1.5 GaN单晶质量的表征设备 | 第24-28页 |
| 1.5.1 场发射扫描电子显微镜 | 第24-25页 |
| 1.5.2 高分辨X射线衍射仪 | 第25-26页 |
| 1.5.3 原子力显微镜 | 第26页 |
| 1.5.4 拉曼散射谱 | 第26-27页 |
| 1.5.5 光致发光光谱 | 第27-28页 |
| 1.6 论文的选题意义和研究内容 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-32页 |
| 第二章 HVPE系统反应室及其生长参数的模拟计算 | 第32-49页 |
| 2.1 软件概述 | 第32-36页 |
| 2.1.1 CFD软件简介 | 第32-33页 |
| 2.1.2 FLUENT软件简介 | 第33-35页 |
| 2.1.3 FLUENT的求解过程 | 第35-36页 |
| 2.2 HVPE反应系统三维模型的建立 | 第36-40页 |
| 2.2.1 GaN生长原理 | 第36页 |
| 2.2.2 基本假设 | 第36-37页 |
| 2.2.3 HVPE反应室模型的构建 | 第37-38页 |
| 2.2.4 CFD的基本方程 | 第38-39页 |
| 2.2.5 边界条件 | 第39-40页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第40-47页 |
| 2.3.1 不同NH_3流量对HVPE反应室内气流场的影响 | 第40-44页 |
| 2.3.2 不同气体流量对HVPE反应室内气流场的影响 | 第44-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第三章 利用减薄-键合衬底生长GaN单晶的研究 | 第49-59页 |
| 3.1 减薄-键合衬底的设计及制备 | 第49-51页 |
| 3.2 生长工艺 | 第51-52页 |
| 3.3 减薄-键合衬底生长的GaN单晶的表征 | 第52-56页 |
| 3.3.1 减薄-键合衬底对GaN单晶质量的影响 | 第52-53页 |
| 3.3.2 减薄-键合衬底对GaN单晶残余应力的影响 | 第53-54页 |
| 3.3.3 减薄-键合衬底对GaN单晶光学质量的影响 | 第54-55页 |
| 3.3.4 减薄-键合衬底对GaN单晶表面形貌的影响 | 第55-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第四章 不同生长条件下的GaN单晶的缺陷研究 | 第59-68页 |
| 4.1 不同GaN单晶样品的腐蚀 | 第59-61页 |
| 4.1.1 腐蚀工艺 | 第59页 |
| 4.1.2 腐蚀结果及讨论 | 第59-61页 |
| 4.2 利用PAT对GaN单晶本征缺陷的研究 | 第61-65页 |
| 4.2.1 正电子湮灭技术简介 | 第61-63页 |
| 4.2.2 测试与表征 | 第63-64页 |
| 4.2.3 结果与讨论 | 第64-65页 |
| 4.3 本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第五章 主要结论及有待进一步开展的工作 | 第68-70页 |
| 5.1 主要结论 | 第68-69页 |
| 5.2 主要创新点 | 第69页 |
| 5.3 有待进一步开展的工作 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读硕士学位期间的论文、专利及奖励 | 第71-72页 |
| 附件 | 第72-76页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第76页 |
