| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-30页 |
| 1.1 引言 | 第16-19页 |
| 1.1.1 集成电路制造产业的发展 | 第16-18页 |
| 1.1.2 MOS器件特征尺寸缩小的挑战 | 第18-19页 |
| 1.2 高k栅介质材料的基本介绍 | 第19-27页 |
| 1.2.1 高k栅介质材料的引入 | 第20-22页 |
| 1.2.2 高k栅介质材料的特点 | 第22-24页 |
| 1.2.3 高k材料的研究进展 | 第24-26页 |
| 1.2.4 高k栅介质材料所带来的挑战 | 第26-27页 |
| 1.3 本文主要研究内容安排 | 第27-30页 |
| 第二章 高k栅介质材料的制备工艺和表征方法 | 第30-44页 |
| 2.1 高k栅介质材料的制备方法介绍 | 第30-33页 |
| 2.1.1 化学气相淀积 | 第30-31页 |
| 2.1.2 物理气相淀积 | 第31-32页 |
| 2.1.3 脉冲激光淀积 | 第32-33页 |
| 2.1.4 分子束外延 | 第33页 |
| 2.2 原子层淀积技术 | 第33-40页 |
| 2.2.1 原子层淀积设备简介 | 第34-35页 |
| 2.2.2 原子层淀积技术原理 | 第35-36页 |
| 2.2.3 原子层淀积技术工艺参数 | 第36-38页 |
| 2.2.4 原子层淀积技术的优势与发展 | 第38-40页 |
| 2.3 高k栅介质材料的主要表征方法 | 第40-43页 |
| 2.3.1 椭圆偏振仪 | 第40-41页 |
| 2.3.2 X射线光电子能谱分析 | 第41-42页 |
| 2.3.3 电学特性表征 | 第42-43页 |
| 2.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 Al_2O_3/La_2O_3叠栅电容的平带电压特性研究 | 第44-56页 |
| 3.1 Al_2O_3/La_2O_3叠栅电容的制备 | 第44-45页 |
| 3.1.1 衬底准备 | 第44-45页 |
| 3.1.2 淀积样品的基本流程与参数 | 第45页 |
| 3.2 不同堆叠结构的Al_2O_3/La_2O_3栅介质特性的研究 | 第45-48页 |
| 3.2.2 不同堆叠结构对Al_2O_3/La_2O_3栅电容平带电压的影响 | 第46-48页 |
| 3.2.3 不同堆叠结构对Al_2O_3/La_2O_3栅介质化学特性的影响 | 第48页 |
| 3.3 不同退火条件下的Al_2O_3/La_2O_3栅介质特性的研究 | 第48-51页 |
| 3.3.2 不同退火条件对Al_2O_3/La_2O_3栅电容平带电压的影响 | 第49-50页 |
| 3.3.3 不同退火条件对Al_2O_3/La_2O_3栅介质化学特性的影响 | 第50-51页 |
| 3.4 电偶极子的变化对于Al_2O_3/La_2O_3栅电容平带电压的影响 | 第51-55页 |
| 3.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 Al_2O_3/La_2O_3叠栅和LaAlO_3的界面特性研究 | 第56-70页 |
| 4.1 Al_2O_3/La_2O_3叠栅和LaAlO_3的制备 | 第56-57页 |
| 4.2 Al_2O_3/La_2O_3叠栅和LaAlO_3的界面特性 | 第57-61页 |
| 4.3 Al_2O_3/La_2O_3叠栅和LaAlO_3结构差异对能带分布的影响 | 第61-66页 |
| 4.3.1 栅介质与衬底之间的价带差 | 第61-64页 |
| 4.3.2 栅介质与衬底之间的导带差 | 第64-66页 |
| 4.4 界面能带特性对栅电容漏电特性的影响 | 第66-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-70页 |
| 第五章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 5.1 研究总结 | 第70-71页 |
| 5.2 展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 作者简介 | 第78-80页 |
