| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 引言 | 第9-21页 |
| 1.1 中子物理与中子应用技术综述 | 第9-14页 |
| 1.1.1 中子的基本性质 | 第9页 |
| 1.1.2 中子源特性综述 | 第9-14页 |
| 1.2 D-D/D-T中子发生器研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 中子探测方法综述 | 第15-19页 |
| 1.2.1 中子与物质相互作用 | 第15页 |
| 1.2.2 中子探测基本原理 | 第15-17页 |
| 1.2.3 常用的中子探测器 | 第17-19页 |
| 1.4 论文的主要研究内容及结构 | 第19-21页 |
| 第二章 90°伴随粒子法D-D中子产额和中子通量测量方法及修正因子计算 | 第21-43页 |
| 2.1 紧凑型D-D中子发生器结构及90°伴随粒子测量系统 | 第21-22页 |
| 2.2 90°伴随粒子法中子产额及通量测量原理 | 第22-25页 |
| 2.2.1 90°伴随粒子法D-D中子产额测量原理 | 第22-24页 |
| 2.2.2 D-D中子通量测量原理 | 第24-25页 |
| 2.3 D-D中子产额测量及通量测量修正因子计算方法 | 第25-35页 |
| 2.3.1 R_(thick)、(Y_(d,n)/Y_(d,p))_(thick)、(Y_(d,n)/Y_(d,p))_(thick)计算方法 | 第26-29页 |
| 2.3.2 计算所需基础数据 | 第29-35页 |
| 2.4 计算结果 | 第35-40页 |
| 2.4.1 R_(thick)、(Y_(d,n)/Y_(d,p))叫和总修正因子R_Y的计算结果及讨论 | 第35-37页 |
| 2.4.2 D-D中子通量测量总修正因子R_F计算结果及讨论 | 第37-40页 |
| 2.5 总修正因子R_Y、R_F计算结果的不确定度分析 | 第40-42页 |
| 2.5.1 各向异性修正因子R_(thick)计算结果的不确定度 | 第41页 |
| 2.5.2 (Y_(d,n)/Y_(d,p))、(dY_(d,n)/Y_(d,p))_(think)计算结果的不确定度2.5.3 R_Y,、R_F计算结果的不确定度 | 第41-42页 |
| 2.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 90°伴随粒子法D-T中子产额和中子通量测量方法及修正因子计算 | 第43-57页 |
| 3.1 紧凑型D-T中子发生器结构及90°伴随粒子测量系统 | 第43页 |
| 3.2 90°伴随粒子法中子产额及通量测量原理 | 第43-45页 |
| 3.2.1 90°伴随粒子法D-T中子产额测量原理 | 第43-44页 |
| 3.2.2 D-T中子通量测量原理 | 第44-45页 |
| 3.3 D-T中子产额测量及通量测量修正因子计算方法 | 第45-51页 |
| 3.3.1 R_Y和R_F的计算方法 | 第45-48页 |
| 3.3.2 计算所需基础数据 | 第48-51页 |
| 3.4 计算结果 | 第51-55页 |
| 3.4.1 D-T中子产额总修正因子R_Y计算结果及讨论 | 第51页 |
| 3.4.2 D-T中子通量测量总修正因子R_F计算结果及讨论 | 第51-55页 |
| 3.5 总修正因子R_Y、R_F计算结果的不确定度分析 | 第55-56页 |
| 3.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 氘氘中子产额测量系统实验调试 | 第57-67页 |
| 4.1 90°伴随粒子法中子产额测量系统 | 第57-60页 |
| 4.1.1 90°伴随粒子法中子产额测量结构 | 第57页 |
| 4.1.2 半导体金硅面垒探测器初步调试 | 第57-60页 |
| 4.2 EJ-410闪烁体探测器中子产额测量系统 | 第60-65页 |
| 4.2.1 EJ-410闪烁体探测器结构及探测效率 | 第60-61页 |
| 4.2.2 射极跟随器设计 | 第61-62页 |
| 4.2.3 闪烁体探测器中子产额测量初步测试 | 第62-63页 |
| 4.2.4 初步实验测试结果 | 第63-65页 |
| 4.3 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 总结 | 第67页 |
| 5.2 展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 在学期间的研究成果 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
