致谢 | 第2-3页 |
中文摘要 | 第3-4页 |
英文摘要 | 第4页 |
目录 | 第5-8页 |
第1章 绪论 | 第8-32页 |
1.1 本文研究内容、主要工作和贡献 | 第8-9页 |
1.1.1 本文的研究内容 | 第8页 |
1.1.2 作者的主要工作 | 第8-9页 |
1.1.3 本文的主要贡献 | 第9页 |
1.2 信息技术与波分复用光通信 | 第9-18页 |
1.2.1 带宽的需求 | 第9-10页 |
1.2.2 光通信历史 | 第10-11页 |
1.2.3 通信容量的发展 | 第11-13页 |
1.2.4 光纤通信的特点 | 第13-14页 |
1.2.5 光纤通信的层次结构和系统的基本组成 | 第14-16页 |
1.2.6 光纤通信中的复用技术 | 第16-18页 |
1.3 波分复用器件综述 | 第18-26页 |
1.3.1 级联型波分复用器 | 第18-21页 |
1.3.2 同步输出色散型波分复用器 | 第21-24页 |
1.3.3 波分复用器件技术比较 | 第24-26页 |
1.4 基于半导体工艺的集成光器件制作 | 第26-27页 |
参考文献 | 第27-32页 |
第2章 蚀刻衍射光栅设计与模拟理论 | 第32-54页 |
2.1 蚀刻衍射光栅原理 | 第32-37页 |
2.2 蚀刻衍射光栅的设计 | 第37-39页 |
2.2.1 波导层结构 | 第37页 |
2.2.2 器件参数确定 | 第37-39页 |
2.3 蚀刻衍射光栅模拟计算 | 第39-52页 |
2.3.1 有效折射率计算 | 第39-42页 |
2.3.2 标量衍射理论的模拟模型 | 第42-44页 |
2.3.3 BPM模拟计算 | 第44-52页 |
参考文献 | 第52-54页 |
第3章 蚀刻衍射光栅消像差设计 | 第54-70页 |
3.1 蚀刻衍射光栅的像差分析 | 第54-56页 |
3.2 单波长消像差设计实例及其模拟 | 第56-62页 |
3.2.1 器件设计 | 第56-58页 |
3.2.2 数值模拟 | 第58-62页 |
3.3 消像差设计的两点法 | 第62-68页 |
3.3.1 设计方法 | 第62-63页 |
3.3.2 结果比较 | 第63-68页 |
参考文献 | 第68-70页 |
第4章 蚀刻衍射光栅频谱平坦化 | 第70-96页 |
4.1 波分复用器频谱要求 | 第70-71页 |
4.2 频谱平坦化方法综述 | 第71-75页 |
4.3 蚀刻衍射光栅的频谱平坦化 | 第75-86页 |
4.3.1 蚀刻衍射光栅的频谱计算 | 第75-79页 |
4.3.2 蚀刻衍射光栅频谱平坦化方法 | 第79-86页 |
4.4 蚀刻衍射光栅的深刻蚀频谱平坦化方法 | 第86-93页 |
参考文献 | 第93-96页 |
第5章 平场蚀刻衍射光栅设计 | 第96-116页 |
5.1 平场输出蚀刻衍射光栅的设计和模拟 | 第96-101页 |
5.2 稀疏波分复用技术 | 第101-106页 |
5.3 蚀刻衍射光栅稀疏波分复用器的设计和模拟 | 第106-109页 |
5.4 平场输入设计及温度不敏感波分复用器 | 第109-114页 |
参考文献 | 第114-116页 |
第6章 蚀刻衍射光栅低回损设计 | 第116-124页 |
6.1 蚀刻衍射光栅回损特性 | 第116-117页 |
6.2 低回损设计 | 第117-120页 |
6.3 低回损蚀刻衍射光栅设计实例和模拟结果 | 第120-122页 |
参考文献 | 第122-124页 |
第7章 基于半导体工艺的集成光学器件制造技术 | 第124-142页 |
7.1 光波导材料概述 | 第124-126页 |
7.2 硅基二氧化硅光波导制备技术 | 第126-131页 |
7.2.1 热氧化法 | 第126-127页 |
7.2.2 溶胶-凝胶法 | 第127-128页 |
7.2.3 阳极氧化法 | 第128-129页 |
7.2.4 火焰水解法 | 第129-130页 |
7.2.5 化学汽相沉积 | 第130-131页 |
7.2.6 薄膜性能检测 | 第131页 |
7.3 光刻技术 | 第131-134页 |
7.4 干法刻蚀技术 | 第134-136页 |
7.5 波导对准封装技术 | 第136-138页 |
参考文献 | 第138-142页 |
第8章 等离子体增强化学气相沉积制作光波导 | 第142-164页 |
8.1 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)原理 | 第142-145页 |
8.2 PECVD系统 | 第145-147页 |
8.3 淀积高性能厚二氧化硅薄膜的研究 | 第147-162页 |
8.3.1 实验条件 | 第147-148页 |
8.3.2 实验结果 | 第148-158页 |
8.3.3 讨论 | 第158-161页 |
8.3.4 结论 | 第161-162页 |
参考文献 | 第162-164页 |
第9章 蚀刻衍射光栅器件制作 | 第164-182页 |
9.1 蚀刻衍射光栅制作过程分解 | 第164-168页 |
9.2 掩膜版图形的设计 | 第168-171页 |
9.3 二氧化硅波导沉积 | 第171-172页 |
9.4 曝光光刻 | 第172-173页 |
9.5 金属掩膜的剥离技术 | 第173-175页 |
9.6 ICP深刻蚀 | 第175-176页 |
9.7 器件对光及测试 | 第176-181页 |
参考文献 | 第181-182页 |
第10章 总结与展望 | 第182-188页 |
10.1 论文总结 | 第182-183页 |
10.2 蚀刻衍射光栅的继续研究 | 第183-185页 |
10.3 全光通信展望 | 第185-186页 |
参考文献 | 第186-188页 |
攻博期间发表的论文 | 第188-189页 |
攻博期间申请的专利 | 第189页 |