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光通信中集成蚀刻衍射光栅波分复用器的研究

致谢第2-3页
中文摘要第3-4页
英文摘要第4页
目录第5-8页
第1章 绪论第8-32页
    1.1 本文研究内容、主要工作和贡献第8-9页
        1.1.1 本文的研究内容第8页
        1.1.2 作者的主要工作第8-9页
        1.1.3 本文的主要贡献第9页
    1.2 信息技术与波分复用光通信第9-18页
        1.2.1 带宽的需求第9-10页
        1.2.2 光通信历史第10-11页
        1.2.3 通信容量的发展第11-13页
        1.2.4 光纤通信的特点第13-14页
        1.2.5 光纤通信的层次结构和系统的基本组成第14-16页
        1.2.6 光纤通信中的复用技术第16-18页
    1.3 波分复用器件综述第18-26页
        1.3.1 级联型波分复用器第18-21页
        1.3.2 同步输出色散型波分复用器第21-24页
        1.3.3 波分复用器件技术比较第24-26页
    1.4 基于半导体工艺的集成光器件制作第26-27页
    参考文献第27-32页
第2章 蚀刻衍射光栅设计与模拟理论第32-54页
    2.1 蚀刻衍射光栅原理第32-37页
    2.2 蚀刻衍射光栅的设计第37-39页
        2.2.1 波导层结构第37页
        2.2.2 器件参数确定第37-39页
    2.3 蚀刻衍射光栅模拟计算第39-52页
        2.3.1 有效折射率计算第39-42页
        2.3.2 标量衍射理论的模拟模型第42-44页
        2.3.3 BPM模拟计算第44-52页
    参考文献第52-54页
第3章 蚀刻衍射光栅消像差设计第54-70页
    3.1 蚀刻衍射光栅的像差分析第54-56页
    3.2 单波长消像差设计实例及其模拟第56-62页
        3.2.1 器件设计第56-58页
        3.2.2 数值模拟第58-62页
    3.3 消像差设计的两点法第62-68页
        3.3.1 设计方法第62-63页
        3.3.2 结果比较第63-68页
    参考文献第68-70页
第4章 蚀刻衍射光栅频谱平坦化第70-96页
    4.1 波分复用器频谱要求第70-71页
    4.2 频谱平坦化方法综述第71-75页
    4.3 蚀刻衍射光栅的频谱平坦化第75-86页
        4.3.1 蚀刻衍射光栅的频谱计算第75-79页
        4.3.2 蚀刻衍射光栅频谱平坦化方法第79-86页
    4.4 蚀刻衍射光栅的深刻蚀频谱平坦化方法第86-93页
    参考文献第93-96页
第5章 平场蚀刻衍射光栅设计第96-116页
    5.1 平场输出蚀刻衍射光栅的设计和模拟第96-101页
    5.2 稀疏波分复用技术第101-106页
    5.3 蚀刻衍射光栅稀疏波分复用器的设计和模拟第106-109页
    5.4 平场输入设计及温度不敏感波分复用器第109-114页
    参考文献第114-116页
第6章 蚀刻衍射光栅低回损设计第116-124页
    6.1 蚀刻衍射光栅回损特性第116-117页
    6.2 低回损设计第117-120页
    6.3 低回损蚀刻衍射光栅设计实例和模拟结果第120-122页
    参考文献第122-124页
第7章 基于半导体工艺的集成光学器件制造技术第124-142页
    7.1 光波导材料概述第124-126页
    7.2 硅基二氧化硅光波导制备技术第126-131页
        7.2.1 热氧化法第126-127页
        7.2.2 溶胶-凝胶法第127-128页
        7.2.3 阳极氧化法第128-129页
        7.2.4 火焰水解法第129-130页
        7.2.5 化学汽相沉积第130-131页
        7.2.6 薄膜性能检测第131页
    7.3 光刻技术第131-134页
    7.4 干法刻蚀技术第134-136页
    7.5 波导对准封装技术第136-138页
    参考文献第138-142页
第8章 等离子体增强化学气相沉积制作光波导第142-164页
    8.1 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)原理第142-145页
    8.2 PECVD系统第145-147页
    8.3 淀积高性能厚二氧化硅薄膜的研究第147-162页
        8.3.1 实验条件第147-148页
        8.3.2 实验结果第148-158页
        8.3.3 讨论第158-161页
        8.3.4 结论第161-162页
    参考文献第162-164页
第9章 蚀刻衍射光栅器件制作第164-182页
    9.1 蚀刻衍射光栅制作过程分解第164-168页
    9.2 掩膜版图形的设计第168-171页
    9.3 二氧化硅波导沉积第171-172页
    9.4 曝光光刻第172-173页
    9.5 金属掩膜的剥离技术第173-175页
    9.6 ICP深刻蚀第175-176页
    9.7 器件对光及测试第176-181页
    参考文献第181-182页
第10章 总结与展望第182-188页
    10.1 论文总结第182-183页
    10.2 蚀刻衍射光栅的继续研究第183-185页
    10.3 全光通信展望第185-186页
    参考文献第186-188页
攻博期间发表的论文第188-189页
攻博期间申请的专利第189页

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