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S波段基于GaN HEMT的宽带内匹配高功率器件的研制

摘要第4-5页
Abstract第5页
引言第6-8页
1 绪论第8-11页
    1.1 GaN HEMT功率放大器的研究背景第8-9页
    1.2 本课题的研究意义和主要内容第9-11页
2 微波功率放大器设计基础第11-18页
    2.1 GaN HEMT功率器件的工作原理第11-13页
    2.2 功率放大放大器的主要指标第13-15页
    2.3 功率放大器的几种工作状态第15页
    2.4 内匹配功率放大器的设计流程第15-18页
3 阻抗匹配理论第18-28页
    3.1 传输线理论第18-21页
        3.1.1 传输线的功率考虑第18-19页
        3.1.2 功率放大器稳定性分析第19-21页
    3.2 阻抗匹配技术第21-28页
        3.2.1 集总参数阻抗匹配电路第21-22页
        3.2.2 微带线型阻抗匹配电路第22-23页
        3.2.3 管芯性能分析和阻抗测量第23-25页
        3.2.4 输入端阻抗匹配电路第25-28页
4 功率合成与分配理论第28-33页
    4.1 Wilkinson功分器工作原理第28-29页
    4.2 功分器的技术指标第29-30页
    4.3 Wilkinson功分器的设计第30-33页
5 内匹配偏置网络分析与设计第33-37页
    5.1 偏置电路设计准则第33-34页
    5.2 本文偏置电路的设计第34-37页
6 内匹配功率放大器的版图设计与测试第37-47页
    6.1 GaN HEMT器件阻抗测试第37-38页
        6.1.1 动态阻抗法第37页
        6.1.2 大信号S参数法第37页
        6.1.3 负载牵引法第37-38页
    6.2 内匹配模块设计和制作第38-43页
        6.2.1 匹配电路原理图第38页
        6.2.2 匹配电路中元器件的实现第38-43页
    6.3 功率放大器测试系统的搭建第43-44页
    6.4 功率测试第44-47页
7 结论第47-48页
参考文献第48-50页
致谢第50-51页

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