| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 被动调Q锁模技术发展概况 | 第11-23页 |
| 1.2.1 可饱和吸收体被动调Q锁模激光器发展现状 | 第11-16页 |
| 1.2.2 自锁模激光器发展现状 | 第16-19页 |
| 1.2.3 主动调Q被动锁模激光器发展现状 | 第19-23页 |
| 1.3 调Q锁模技术的理论研究 | 第23-24页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第24-26页 |
| 第2章 调Q与锁模技术与原理 | 第26-36页 |
| 2.1 锁模技术与原理 | 第26-28页 |
| 2.1.1 锁模技术 | 第26页 |
| 2.1.2 多纵模自由运转激光器输出特性 | 第26-27页 |
| 2.1.3 锁模基本原理 | 第27-28页 |
| 2.2 被动锁模技术与原理 | 第28-32页 |
| 2.2.1 自锁模原理 | 第28-30页 |
| 2.2.2 半导体可饱和吸收体锁模原理 | 第30-32页 |
| 2.2.3 被动锁模激光器脉冲建立过程 | 第32页 |
| 2.3 调Q技术与原理 | 第32-35页 |
| 2.3.1 调Q基本原理 | 第32-33页 |
| 2.3.2 调Q技术的分类 | 第33-34页 |
| 2.3.3 电光调Q技术 | 第34-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 被动调Q锁模Nd:GdVO4激光器 | 第36-48页 |
| 3.1 激光增益介质 | 第36-37页 |
| 3.2 半导体可饱和吸收耦合输出镜 | 第37-39页 |
| 3.3 SOC被动调Q锁模Nd:GdVO4激光器 | 第39-45页 |
| 3.3.1 SOC被动调Q锁模激光器实验研究 | 第40-42页 |
| 3.3.2 SOC被动调Q锁模激光输出特性 | 第42-43页 |
| 3.3.3 不同参数SOC输出特性对比 | 第43-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-48页 |
| 第4章 主动调Q被动锁模Nd:GdVO4激光器 | 第48-62页 |
| 4.1 电光晶体的选择 | 第48-49页 |
| 4.2 主动调Q自锁模Nd:GdVO4激光器 | 第49-52页 |
| 4.2.1 主动调Q自锁模激光器实验研究 | 第49-51页 |
| 4.2.2 主动调Q自锁模激光输出特性 | 第51-52页 |
| 4.3 主动调Q SOC锁模Nd:GdVO4激光器 | 第52-54页 |
| 4.3.1 主动调Q SOC锁模激光器实验研究 | 第52-53页 |
| 4.3.2 主动调Q SOC锁模激光输出特性 | 第53-54页 |
| 4.4 实验对比与理论分析 | 第54-59页 |
| 4.4.1 主动调Q自锁模与主动调Q SOC锁模实验结果对比 | 第54-56页 |
| 4.4.2 理论分析和计算 | 第56-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-62页 |
| 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
