| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 引言 | 第8-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-10页 |
| 1.2 贝里相位 | 第10-14页 |
| 1.2.1 拓扑绝缘体 | 第12-14页 |
| 1.3 能谷激子 | 第14-16页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 过渡金属硫化物中的能谷激子 | 第17-39页 |
| 2.1 能谷激子哈密顿量的推导 | 第17-21页 |
| 2.2 谷间相互作用 | 第21-38页 |
| 2.2.1 拓扑激子态的近似解 | 第31-34页 |
| 2.2.2 利用傅里叶变换求解精确解 | 第34-37页 |
| 2.2.3 规范变换和规范场 | 第37-38页 |
| 2.3 二维体系独有的谷激子项 | 第38-39页 |
| 第3章 过渡金属硫化物中的拓扑激子 | 第39-46页 |
| 3.1 激子的拓扑性质 | 第39-42页 |
| 3.2 数值结果 | 第42-45页 |
| 3.3 小结 | 第45-46页 |
| 第4章 基底材料应变下的拓扑激子 | 第46-53页 |
| 4.1 建立模型 | 第46-48页 |
| 4.2 模型的分析 | 第48-51页 |
| 4.3 小结 | 第51-53页 |
| 第5章 总结 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 附录 | 第60-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第69页 |