| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第16-25页 |
| 1.1 光导开关的研究意义 | 第16-17页 |
| 1.2 光导开关的发展历史及现状 | 第17-20页 |
| 1.3 光导开关应用举例 | 第20-24页 |
| 1.3.1 PCSS在瞬态测试中的应用 | 第20页 |
| 1.3.2 PCSS在THz辐射方面的应用 | 第20-22页 |
| 1.3.3 PCSS在脉冲功率领域的应用 | 第22-24页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第24-25页 |
| 第二章 材料及实验设备 | 第25-33页 |
| 2.1 主要实验材料 | 第25页 |
| 2.2 实验仪器设备 | 第25-33页 |
| 2.2.1 光导开关的制作设备 | 第25-29页 |
| 2.2.2 光导开关测试和表征设备 | 第29-33页 |
| 第三章 GaAs光导开关的工作原理及制备实验 | 第33-46页 |
| 3.1 光导开关的工作原理 | 第33-39页 |
| 3.1.1 光导开关的基本原理 | 第33-34页 |
| 3.1.2 光导开关的基本结构 | 第34-35页 |
| 3.1.3 光导开关的工作模式 | 第35-39页 |
| 3.2 光导开关衬底材料 | 第39-42页 |
| 3.2.1 材料特性对PCSS性能的影响 | 第39-40页 |
| 3.2.2 开关衬底材料介绍 | 第40-41页 |
| 3.2.3 半导体材料的比较 | 第41-42页 |
| 3.2.4 本文光导开关衬底材料的选择 | 第42页 |
| 3.3 开光电极的制作过程 | 第42-45页 |
| 3.3.1 欧姆接触电极制作的流程图 | 第42-43页 |
| 3.3.2 芯片清洗工艺 | 第43-44页 |
| 3.3.3 光刻工艺 | 第44-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 GaAs光导开关损伤机理研究 | 第46-57页 |
| 4.1 开光芯片材料的损伤机理 | 第46-47页 |
| 4.1.1 暗态条件下的击穿 | 第46-47页 |
| 4.1.2 导通状态下的不可恢复性损伤 | 第47页 |
| 4.2 击穿机理及相关工艺研究 | 第47-53页 |
| 4.2.1 电击穿机理分析 | 第48-50页 |
| 4.2.2 热击穿机理分析 | 第50-52页 |
| 4.2.3 光导开关的SEM分析 | 第52-53页 |
| 4.3 开关制作工艺对缺陷EL2影响 | 第53-56页 |
| 4.3.1 GaAs材料中EL2浓度及分布 | 第53-54页 |
| 4.3.2 过量As原子的分布与EL2浓度及分布的影响 | 第54-55页 |
| 4.3.3 热处理对EL2浓度及分布的影响 | 第55-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 GaAs光导开关性能测试 | 第57-64页 |
| 5.1 光导开关电极热稳定性和附着力测试 | 第57-58页 |
| 5.2 光导开关电极形貌 | 第58-59页 |
| 5.3 新旧开关物理尺寸和电学特性对比 | 第59-63页 |
| 5.3.1 物理尺寸对比 | 第59-61页 |
| 5.3.2 电学特性对比 | 第61-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 总结和展望 | 第64-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第71页 |