| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-29页 |
| ·引言 | 第16-18页 |
| ·集成电路的发展和“摩尔定律” | 第16-17页 |
| ·MOS 晶体管结构介绍、工作原理及面临的问题 | 第17-18页 |
| ·高 K 材料 | 第18-20页 |
| ·高 K 材料及其分类 | 第18-19页 |
| ·常见的高 K 材料 | 第19页 |
| ·稀土高 K 材料的优点 | 第19-20页 |
| ·未来高 k 栅介质材料所面对的问题和展望 | 第20页 |
| ·薄膜材料的制备工艺 | 第20-21页 |
| ·真空蒸发法（VE） | 第20页 |
| ·溅射法（Sputtering） | 第20-21页 |
| ·脉冲激光沉积法（ALD） | 第21页 |
| ·分子束外延法（MBE） | 第21页 |
| ·化学气相沉积法（hemical Vapor Deposition, CVD） | 第21页 |
| ·原子层沉积（ALD）技术 | 第21-24页 |
| ·原子层沉积（ALD）技术的原理 | 第22页 |
| ·ALD 技术的优点 | 第22页 |
| ·应用于 ALD 技术的稀土有机化合物前驱体的研究现状 | 第22-24页 |
| ·稀土金属有机配合物 | 第24-27页 |
| ·茂稀土金属有机配合物化学 | 第24-25页 |
| ·非茂稀土金属有机配合物化学 | 第25-27页 |
| ·稀土金属有机胺化物（含 Ln-N 键） | 第25-26页 |
| ·金属有机氧化物（含 Ln-O 键） | 第26-27页 |
| ·本文研究内容 | 第27-29页 |
| ·酰腙类 Schiff base | 第27-28页 |
| ·酰腙基团的配位形式 | 第28页 |
| ·稀土酰腙类配合物的研究设想 | 第28-29页 |
| 第二章 酰腙基稀土配合物的合成 | 第29-63页 |
| ·引言 | 第29-31页 |
| ·实验部分 | 第31-35页 |
| ·实验药品和仪器 | 第32-33页 |
| ·实验药品和玻璃仪器的预处理 | 第33页 |
| ·分析和测试 | 第33-34页 |
| ·稀土含量的分析 | 第33页 |
| ·碳，氢和氮含量的分析 | 第33页 |
| ·熔点测定 | 第33页 |
| ·核磁共振分析 | 第33-34页 |
| ·晶体结构测定 | 第34页 |
| ·原料的合成 | 第34-35页 |
| ·无水三氯化镧（钆）的合成 | 第34页 |
| ·苯甲酰肼的制备 | 第34页 |
| ·配体苯乙酮缩苯甲酰腙（1a）的制备 | 第34页 |
| ·配体丁酮缩苯甲酰腙（1b）的制备 | 第34-35页 |
| ·配体环己酮缩苯甲酰腙（1c）的合成 | 第35页 |
| ·通过锂盐交换法制备酰腙基稀土镧（钆）配合物 | 第35-37页 |
| ·配合物的合成总式 | 第35页 |
| ·La[Ph(OCNNC)MePh]_3（2a）的合成 | 第35-36页 |
| ·La[Ph(OCNNC)MeEt]_3（2b）的合成 | 第36页 |
| ·La[Ph(OCNNC)C_5H_(10)]_3（2c）的合成 | 第36页 |
| ·Gd[Ph(OCNNC)MePh]_3（2d）的合成 | 第36-37页 |
| ·Gd[Ph(OCNNC)MeEt]_3（2e）的合成 | 第37页 |
| ·Gd[Ph(OCNNC)C_5H_(10)]_3（2f）的合成 | 第37页 |
| ·配体与 Ln[N(SiMe_3)_2]_3发生质解反应制备酰腙基稀土镧（钆）配合物 | 第37-42页 |
| ·配合物的合成总式 | 第37-38页 |
| ·LiN(SiMe_3)_2的制备 | 第38页 |
| ·La[N(SiMe_3)_2]_3的合成 | 第38页 |
| ·(PhCONNCMeC_6H_4)_2La_2[N(SiMe_3)_2]_2(THF)_2（3a）的合成 | 第38-39页 |
| ·La(PhCONNCCH_3Ph)_3（3b）的合成 | 第39页 |
| ·(PhCONNCC_5H_9)_2La_2[N(SiMe)_2]_2(THF)_2（3c）的合成 | 第39页 |
| ·La(PhCONNCC_5H_(10))_3（3d）的合成 | 第39页 |
| ·(PhCONNCMeCHMe)_2La_2[N(SiMe)_2]_2(THF)_2（3e）的合成 | 第39-40页 |
| ·La(PhCONNCMeCHMe)_3（3f）的合成 | 第40页 |
| ·Gd[N(SiMe_3)_2]_3的合成 | 第40页 |
| ·(PhCONNCMeC_6H_4)_2Gd_2[N(SiMe)_2]_2（3g）的合成 | 第40-41页 |
| ·Gd(PhCONNCMePh)_3（3h）的合成 | 第41页 |
| ·(PhCONNCC_5H_9)_2Gd_2[N(SiMe_3)_2]_2(THF)_2（3i）的合成 | 第41页 |
| ·Gd(PhCONNCC_5H_(10))_3（3j）的合成 | 第41页 |
| ·(PhCONNCMeCHMe)_2Gd_2[N(SiMe)_2]_2(THF)_2（3k）的合成 | 第41-42页 |
| ·Gd(PhCONNCMeCHMe)_3（3l）的合成 | 第42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-63页 |
| ·合成方案 | 第42-43页 |
| ·配体的选择 | 第42页 |
| ·配合物的合成方案 | 第42-43页 |
| ·测试结果分析 | 第43-61页 |
| ·稀土元素含量的分析 | 第43页 |
| ·核磁共振 | 第43-44页 |
| ·热重分析（TG） | 第44-45页 |
| ·晶体结构分析 | 第45-61页 |
| ·本章讨论 | 第61-63页 |
| 第三章 四(甲乙胺基)铪(锆)的制备和纯化 | 第63-66页 |
| ·引言 | 第63页 |
| ·实验部分 | 第63-64页 |
| ·实验药品 | 第63-64页 |
| ·Hf(NMeEt)4的合成 | 第64页 |
| ·Hf(NMeEt)4的合成 | 第64页 |
| ·实验结果与讨论 | 第64-66页 |
| ·目标产物的产率讨论 | 第64-65页 |
| ·目标产物的纯化讨论 | 第65页 |
| ·目标产物的核磁表征 | 第65-66页 |
| 第四章 总结与展望 | 第66-68页 |
| ·总结 | 第66页 |
| ·展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第75-76页 |
| 附录 | 第76-84页 |
