| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-23页 |
| ·课题的研究背景与意义 | 第8-12页 |
| ·SiO_2/SiC界面研究现状 | 第12-22页 |
| ·论文的研究思想和研究内容 | 第22-23页 |
| 2 氮钝化SiC MOS电容的制作工艺及测试 | 第23-34页 |
| ·SiC MOS电容的制作工艺 | 第23-26页 |
| ·衬底预处理 | 第23-24页 |
| ·氧化工艺 | 第24-25页 |
| ·氮等离子体处理工艺 | 第25-26页 |
| ·电极制作工艺 | 第26页 |
| ·SiC MOS电容的测试 | 第26-33页 |
| ·SiC MOS电容的电流-电压(I-V)特性测试 | 第26-28页 |
| ·SiC MOS电容的电容-电压(C-V)特性测试 | 第28-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 3 氮钝化SiC MOS栅氧化膜击穿特性评价 | 第34-41页 |
| ·Fowler-Nordheim隧穿电流模型 | 第34-37页 |
| ·SiC MOS栅氧化膜击穿特性分析 | 第37-40页 |
| ·氧化物击穿模式 | 第37-38页 |
| ·氧化膜击穿特性 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 4 氮钝化SiC MOS界面特性的Gray-Brown法分析 | 第41-58页 |
| ·用于SiC材料的Gray-Brown法 | 第41-50页 |
| ·SiC材料的相关参数 | 第41-49页 |
| ·Gray-Brown法的计算 | 第49-50页 |
| ·SiC MOS界面特性评价 | 第50-56页 |
| ·MOS界面特性及分析 | 第50-54页 |
| ·MOS界面特性改善效果 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
