| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-18页 |
| ·课题研究背景与意义 | 第9-11页 |
| ·国外 SiGe BiCMOS 技术发展动态 | 第11-15页 |
| ·国外SiGe BiCMOS 发展概述 | 第11-12页 |
| ·SiGe HBT 器件发展简况 | 第12-13页 |
| ·SiGe BiCMOS 集成电路发展简况 | 第13-15页 |
| ·国内 SiGe BiCMOS 技术发展动态 | 第15-16页 |
| ·主要工作与论文主要内容 | 第16-18页 |
| 第二章 SiGe BiCMOS 的工作原理与电学特性 | 第18-29页 |
| ·SiGe 合金的基本物理特性 | 第18-20页 |
| ·SiGe 合金的晶格失配和赝晶生长 | 第18-19页 |
| ·SiGe 合金的载流子迁移率 | 第19-20页 |
| ·Si/SiGe 异质结的物理性质 | 第20-23页 |
| ·Si/SiGe 异质结的能带突变 | 第20-21页 |
| ·Si/SiGe 薄膜应变/弛豫特性 | 第21-23页 |
| ·Si/SiGe 异质结双极型晶体管的工作原理与电学特性 | 第23-26页 |
| ·SiGe HBT 的能带结构 | 第23-24页 |
| ·SiGe HBT 的电流增益 | 第24页 |
| ·SiGe HBT 的频率特性 | 第24-26页 |
| ·Si MOSFET 的工作原理与电学特性 | 第26-29页 |
| 第三章 SiGe BiCMOS 集成器件结构设计与优化 | 第29-45页 |
| ·基于 SiGe BiCMOS 技术的 HBT 设计 | 第29-31页 |
| ·SiGe HBT 设计的关键因素与折衷考虑 | 第29-30页 |
| ·SiGe BiCMOS 器件结构简述 | 第30-31页 |
| ·SiGe HBT 结构参数的设计与优化 | 第31-38页 |
| ·器件基区结构设计 | 第31-36页 |
| ·器件发射区结构设计 | 第36-37页 |
| ·器件集电区结构设计 | 第37-38页 |
| ·器件仿真结果 | 第38页 |
| ·SiGe BiCMOS 中 CMOS 的设计与优化 | 第38-45页 |
| ·SiGe BiCMOS 中MOSFET 结构参数设计 | 第39-42页 |
| ·CMOS 参数匹配及优化 | 第42-45页 |
| 第四章 SiGe BiCMOS 关键工艺设计与流程优化 | 第45-63页 |
| ·SiGe BiCMOS 器件离子注入 | 第45-48页 |
| ·SiGe BiCMOS 离子注入原理 | 第45-46页 |
| ·SiGe BiCMOS 离子注入损伤 | 第46-47页 |
| ·集电区发射区离子注入工艺仿真与分析 | 第47-48页 |
| ·SiGe HBT 基区 Ge 组份扩散 | 第48-50页 |
| ·SiGe HBT 基区杂质扩散 | 第50-53页 |
| ·基区杂质扩散作用机理 | 第50-51页 |
| ·基区杂质外扩与器件性能的相关性 | 第51-53页 |
| ·基区 SiGe 本征阻挡层设计与仿真 | 第53-58页 |
| ·SiGe 本征阻挡层的设计 | 第53-56页 |
| ·生长SiGe 本征阻挡层后的器件电学特性 | 第56-58页 |
| ·优化后的器件结构和器件初始值 | 第58-59页 |
| ·SiGe BiCMOS 工艺流程设计与优化 | 第59-63页 |
| ·SiGe BiCMOS 工艺介绍 | 第59-60页 |
| ·1.5μm SiGe BiCMOS 工艺流程优化 | 第60-63页 |
| 第五章 SiGe 非选择性图形外延的实现与表征 | 第63-71页 |
| ·SiGe 非选择性图形外延实验 | 第63-66页 |
| ·样品结构设计 | 第63-64页 |
| ·工艺过程设计 | 第64页 |
| ·采用MBE 外延SiGe 材料前的表面处理 | 第64-65页 |
| ·SiGe 材料的生长过程控制 | 第65-66页 |
| ·SiGe 非选择性图形外延材料生长结果测试与分析 | 第66-71页 |
| ·样品表面形貌与粗糙度分析 | 第66-68页 |
| ·样品图形边界生长连续性测试 | 第68-69页 |
| ·样品位错缺陷研究 | 第69页 |
| ·样品X 射线双晶衍射测试 | 第69-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第78-79页 |
