| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 引言 | 第8-12页 |
| ·课题背景 | 第8页 |
| ·RFID 标签 | 第8-10页 |
| ·RFID 标签的分类 | 第8-9页 |
| ·RFID 标签基本结构 | 第9-10页 |
| ·论文的研究工作 | 第10-11页 |
| ·论文结构安排 | 第11-12页 |
| 第2章 1V 低功耗基准电压源 | 第12-43页 |
| ·基准电压源介绍 | 第12-13页 |
| ·基于CMOS 工艺中寄生BJT 的基准电压源 | 第13-31页 |
| ·BJT 的温度特性 | 第13-14页 |
| ·降低温度影响的方法 | 第14-19页 |
| ·抑制电源影响的方法 | 第19-21页 |
| ·基于BJT 的基准电压源设计 | 第21-31页 |
| ·基于MOS 管的基准源 | 第31-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第3章 基于CMOS 数字工艺的NVRAM 中电荷泵设计 | 第43-56页 |
| ·基于CMOS 数字工艺的NVRAM 简介 | 第43页 |
| ·电荷泵的研究现状 | 第43-49页 |
| ·电荷泵的起源 | 第43-45页 |
| ·电荷泵设计中主要考虑的问题 | 第45-49页 |
| ·基于数字工艺的高压电荷泵的设计 | 第49-53页 |
| ·整体电路的组成 | 第49页 |
| ·电荷泵核心电路 | 第49-50页 |
| ·稳压电路 | 第50-52页 |
| ·时钟驱动电路 | 第52-53页 |
| ·基于CMOS 数字工艺的电荷泵的性能 | 第53-55页 |
| ·电荷泵的版图 | 第53-54页 |
| ·前仿真结果 | 第54-55页 |
| ·功耗问题 | 第55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第4章 低功耗EEPROM 设计 | 第56-76页 |
| ·EEPROM 简介 | 第56-58页 |
| ·EEPROM 历史 | 第56页 |
| ·EEPROM 工作原理 | 第56-57页 |
| ·EEPROM 设计目标 | 第57-58页 |
| ·低功耗EEPROM 设计 | 第58-70页 |
| ·EEPROM 的整体组成 | 第58-59页 |
| ·存储阵列部分 | 第59-62页 |
| ·模拟部分电路 | 第62-67页 |
| ·数字电路部分 | 第67-70页 |
| ·EEPROM 的性能 | 第70-75页 |
| ·读取操作时性能 | 第71-73页 |
| ·编程/擦数操作时的性能 | 第73-75页 |
| ·小结 | 第75-76页 |
| 第5章 总结与展望 | 第76-78页 |
| ·总结 | 第76页 |
| ·展望 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第82页 |