| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-15页 |
| ·本课题的来源、目的及研究的主要内容 | 第13页 |
| ·本课题在国内外的研究概况 | 第13-14页 |
| ·本课题的意义 | 第14-15页 |
| 第二章 氧化钒材料的特性 | 第15-21页 |
| ·五氧化二钒 | 第15-17页 |
| ·二氧化钒 | 第17-19页 |
| ·三氧化二钒 | 第19-21页 |
| 第三章 反应磁控溅射法制备VO_2薄膜及沉膜机理 | 第21-33页 |
| ·VO_2薄膜制备方法的比较分析 | 第21-23页 |
| ·真空蒸发法 | 第21-22页 |
| ·磁控溅射法 | 第22页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第22-23页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gol) | 第23页 |
| ·反应磁控溅射法 | 第23-26页 |
| ·反应磁控溅射的基本原理 | 第23-24页 |
| ·反应磁控溅射的反应过程 | 第24-26页 |
| ·沉膜机理 | 第26-33页 |
| ·薄膜成核与生长过程 | 第26-29页 |
| ·连续膜的形成过程 | 第29-31页 |
| ·薄膜的化学计量比 | 第31-33页 |
| 第四章 试样的制备及表征方法 | 第33-40页 |
| ·实验内容 | 第33页 |
| ·沉膜设备 | 第33-34页 |
| ·实验材料与工艺流程 | 第34-35页 |
| ·实验材料 | 第34页 |
| ·工艺流程 | 第34-35页 |
| ·实验步骤 | 第35-36页 |
| ·玻璃基片准备 | 第35页 |
| ·开机准备 | 第35页 |
| ·抽真空、沉膜 | 第35页 |
| ·关机、取样 | 第35-36页 |
| ·实验中一些工艺问题的解决方案 | 第36页 |
| ·表征方法的确定 | 第36-40页 |
| ·表面成分分析 | 第36-37页 |
| ·表面结构分析 | 第37-38页 |
| ·表面形貌分析 | 第38-39页 |
| ·电学性能分析 | 第39-40页 |
| 第五章 实验结果和性能分析 | 第40-59页 |
| ·制备薄膜的工艺参数 | 第40-41页 |
| ·实验结果及性能分析 | 第41-59页 |
| ·一般性工艺参数对薄膜性能的影响 | 第41-44页 |
| ·m(O_2)/m(Ar)比对薄膜性能的影响 | 第44-49页 |
| ·表面薄膜的元素组成 | 第44-45页 |
| ·XPS分析m(O_2)/m(Ar)比对薄膜成分的影响 | 第45-48页 |
| ·XRD分析m(O_2)/m(Ar)比对薄膜成分的影响 | 第48-49页 |
| ·基片温度对薄膜性能的影响 | 第49-53页 |
| ·XPS分析基片温度对薄膜成分的影响 | 第49-51页 |
| ·XRD分析基片温度比对薄膜成分的影响 | 第51-52页 |
| ·分析VO_2薄膜的电学性质 | 第52-53页 |
| ·真空退火处理对薄膜性能的影响 | 第53-57页 |
| ·XPS分析真空退火处理对薄膜成分的影响 | 第53-54页 |
| ·分析真空退火处理对薄膜结构的影响 | 第54-57页 |
| ·小结 | 第57-59页 |
| 第六章 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 个人论文 | 第65页 |