| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-13页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·研究意义和价值 | 第11-12页 |
| ·论文章节安排 | 第12-13页 |
| 第二章 带隙基准源原理及亚阈区MOSFETs的特性 | 第13-22页 |
| ·基准电压源的几项主要性能指标 | 第13-14页 |
| ·带隙基准源的基本原理和结构 | 第14-17页 |
| ·工作在弱反型区MOS晶体管的理论基础 | 第17-19页 |
| ·工作在弱反型区MOS晶体管的简单模型 | 第19-22页 |
| 第三章 亚阈型CMOS基准电压源的模型及改进 | 第22-34页 |
| ·与温度呈线性减小关系的V_(GS) | 第22-23页 |
| ·电路原理图和工作原理分析 | 第23-27页 |
| ·提出修改模型的电路图和模块 | 第27-29页 |
| ·两种结构的仿真和分析 | 第29-34页 |
| 第四章 高电源抑制比的基准电压源 | 第34-45页 |
| ·带缓冲级模块的基准源 | 第34-38页 |
| ·带前置稳压模块的基准源 | 第38-45页 |
| 第五章 版图设计 | 第45-56页 |
| ·CADENCE VIRTUOSO版图设计工具简介 | 第46-48页 |
| ·电路版图设计的方案以及注意事项 | 第48-50页 |
| ·版图设计的具体步骤 | 第50-54页 |
| ·电阻版图设计 | 第50-51页 |
| ·MOS晶体管版图设计 | 第51-54页 |
| ·最终的版图效果图 | 第54-55页 |
| ·版图设计总结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第62页 |