| 第1章 绪论 | 第1-12页 |
| ·引言 | 第7-9页 |
| ·选题背景及意义 | 第9-11页 |
| ·背景 | 第9-10页 |
| ·意义 | 第10-11页 |
| ·当前研究情况 | 第11页 |
| ·本论文的主要工作 | 第11-12页 |
| 第2章 带隙基准电压源电路理论基础 | 第12-22页 |
| ·共源共栅极 | 第12-15页 |
| ·共源共栅级的基本原理 | 第12-14页 |
| ·低压共源共栅电流镜 | 第14-15页 |
| ·正负温度系数电压的产生 | 第15-20页 |
| ·负温度系数电压的产生 | 第15-18页 |
| ·正温度系数电压的产生 | 第18-20页 |
| ·PTAT(proportional to absolute temperature)电流的产生 | 第20-21页 |
| ·一种改进的高性能CMOS带隙基准源电路 | 第21-22页 |
| 第3章 带隙基准电压源的设计原理 | 第22-42页 |
| ·与电源电压无关的电路 | 第22-26页 |
| ·自举偏置电路 | 第22-24页 |
| ·简并偏置点的解决 | 第24-25页 |
| ·使用运算放大器的与电源电压无关的电路 | 第25-26页 |
| ·对温度不敏感的偏置 | 第26-35页 |
| ·BICMOS技术的带隙基准电压源偏置电路 | 第35-37页 |
| ·影响电路性能的主要误差因素 | 第37-42页 |
| ·元器件的对称与匹配 | 第38-39页 |
| ·MOS管阈值电压偏差的影响 | 第39-40页 |
| ·MOS管的几何尺寸不完全匹配影响 | 第40页 |
| ·MOS管的沟道长度调制效应影响 | 第40-42页 |
| 第4章 带隙基准电压源的设计与仿真 | 第42-53页 |
| ·本文带隙基准电压源的设计 | 第42-45页 |
| ·带隙基准电压源主体电路设计 | 第42-44页 |
| ·带隙基准电压源软启动电路的设计 | 第44-45页 |
| ·电路相关技术指标的模拟仿真 | 第45-53页 |
| ·基准电压与输入电压之间关系特性的模拟 | 第45-46页 |
| ·温度特性模拟 | 第46-47页 |
| ·I_(PTAT)偏置电流与温度之间关系的验证 | 第47-48页 |
| ·电源抑制比PSRR的模拟 | 第48-49页 |
| ·静态电流与输入电压关系的模拟 | 第49-51页 |
| ·软启动时序模拟 | 第51-52页 |
| ·启动电路开关特性的模拟 | 第52-53页 |
| 第5章 结论与展望 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第58页 |