| 第1章 引言 | 第1-22页 |
| ·本课题的研究背景 | 第9-12页 |
| ·微流控芯片系统的发展历程 | 第9-11页 |
| ·微流控芯片系统的优缺点 | 第11页 |
| ·微流控芯片系统的发展趋势 | 第11-12页 |
| ·微量液体的操纵和控制 | 第12-17页 |
| ·器件尺寸缩小和表面张力 | 第13-15页 |
| ·利用表面张力作为驱动力 | 第15-17页 |
| ·介质上电润湿的研究状况及进展 | 第17-20页 |
| ·连续电润湿(Continuous electrowetting) | 第17-18页 |
| ·电润湿(Electrowetting) | 第18-19页 |
| ·介质上电润湿(Electrowetting on dielectric,EWOD) | 第19页 |
| ·当前的研究状况 | 第19-20页 |
| ·论文各部分的内容 | 第20-22页 |
| 第2章 介质上电润湿的理论基础和模型 | 第22-40页 |
| ·介质上电润湿的理论基础 | 第22-26页 |
| ·Lippmann-Young 方程 | 第22-24页 |
| ·接触角饱和现象 | 第24-25页 |
| ·固体表面的阻尼分析 | 第25-26页 |
| ·器件结构及模型分析 | 第26-32页 |
| ·器件结构 | 第26-27页 |
| ·介质层和厌水层的厚度 | 第27页 |
| ·物理模型 | 第27-32页 |
| ·液滴操纵的计算机模拟 | 第32-39页 |
| ·微流体的特殊效应 | 第32-33页 |
| ·CFD 软件简介 | 第33-34页 |
| ·模型建立和求解 | 第34-37页 |
| ·模拟结果及讨论 | 第37-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第3章 工艺流程和关键材料的制备 | 第40-53页 |
| ·金属-Si_3N_4 结构 | 第40-41页 |
| ·多晶硅-氧化硅结构 | 第41-42页 |
| ·厌水性薄膜的制备 | 第42-51页 |
| ·利用ICP-CVD 淀积制备厌水薄膜及其特性分析 | 第43-50页 |
| ·Teflon~?AF1600 薄膜 | 第50-51页 |
| ·上极板制作工艺 | 第51-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第4章 介质上电润湿器件的设计、制作及测试 | 第53-63页 |
| ·器件版图设计 | 第53-54页 |
| ·芯片的制作 | 第54-55页 |
| ·器件测试装置 | 第55-59页 |
| ·外围控制电路系统 | 第56-58页 |
| ·芯片测试 | 第58-59页 |
| ·测试结果及分析 | 第59-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 第5章 结论 | 第63-66页 |
| ·论文工作的主要内容 | 第63-64页 |
| ·论文工作的主要创新点 | 第64页 |
| ·对进一步研究工作的展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
| 声明 | 第71-72页 |
| 附录A CFD-ACE+的使用说明和参数设置 | 第72-76页 |
| 附录B 介质上电润湿器件的工艺流程卡 | 第76-78页 |
| B.1 金属-Si_3N_4 结构工艺流程卡 | 第76-77页 |
| B.2 多晶硅-氧化硅结构工艺流程卡 | 第77-78页 |
| 附录 C 用于控制单片机的 C 语言源程序 | 第78-81页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第81-82页 |
