| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-20页 |
| ·半导体激光器的工作原理 | 第10-11页 |
| ·面发射激光器 | 第11-12页 |
| ·垂直腔面发射激光器的研究发展 | 第12-13页 |
| ·垂直腔面发射激光器的结构 | 第13-14页 |
| ·长波长垂直腔面发射激光器研究状况 | 第14-17页 |
| ·垂直腔面发射激光器的应用 | 第17-19页 |
| ·本论文的研究工作和意义 | 第19-20页 |
| 第二章 垂直腔面发射激光器中布拉格反射器的设计 | 第20-32页 |
| ·DBR的光学性能 | 第20-23页 |
| ·P-DBR的设计与优化 | 第23-27页 |
| ·850nm VCSEL DBR设计 | 第27-28页 |
| ·1.3μm VCSEL DBR设计 | 第28-30页 |
| 小结 | 第30-32页 |
| 第三章 垂直腔面发射激光器多量子阱设计 | 第32-63页 |
| ·量子阱的增益 | 第32-36页 |
| ·量子阱中的粒子能级 | 第32-34页 |
| ·量子阱的增益 | 第34-35页 |
| ·量子阱带隙收缩效应 | 第35-36页 |
| ·0.85μm GaAs／Al_xGa_(1-x)As量子阱增益 | 第36-40页 |
| ·1.3μxm GaInNAs／GaAs QW增益 | 第40-49页 |
| ·Ga(In)NAs材料特性 | 第40-42页 |
| ·GaInNAs／GaAs QW增益 | 第42-48页 |
| ·GaInNAs／GaAs量子阱的带隙收缩效应 | 第48-49页 |
| ·VCSEL的模式 | 第49-53页 |
| ·VCSEL的纵模 | 第49-51页 |
| ·VCSEL的横模 | 第51-53页 |
| ·VCSEL发射波长和量子阱增益的匹配 | 第53-55页 |
| ·VCSEL的量子阱数优化 | 第55-61页 |
| ·VCSEL的阈值增益 | 第55-57页 |
| ·1.3μm GaInNAs／GaAs MQW阱数优化 | 第57-59页 |
| ·850nm VCSEL MQW阱数优化 | 第59-61页 |
| 小结 | 第61-63页 |
| 第四章 垂直腔面发射激光器的结构设计 | 第63-70页 |
| ·1.3μm GaInNAs VCSEL结构 | 第63-64页 |
| ·850nm氧化限制型VCSEL结构 | 第64-65页 |
| ·VCSEL的计算机模拟 | 第65-69页 |
| 小结 | 第69-70页 |
| 第五章 垂直腔面发射激光器的制作 | 第70-80页 |
| ·外延片的MOVPE生长 | 第70-72页 |
| ·Al_(0.98)Ga_(0.02)As的湿氮氧化 | 第72-76页 |
| ·DBR的湿法腐蚀 | 第76-77页 |
| ·VCSEL的制备工艺流程 | 第77-79页 |
| 小结 | 第79-80页 |
| 第六章 器件性能测量与分析 | 第80-99页 |
| ·850nm VCSEL性能测量与分析 | 第80-91页 |
| ·光电特性 | 第80-84页 |
| ·高频调制特性 | 第84-87页 |
| ·器件可靠性 | 第87-90页 |
| ·0.85μm GaAs／AlGaAs边发射激光器 | 第90-91页 |
| ·1.3μm GaInNAs VCSEL特性测量与分析 | 第91-98页 |
| ·光电特性 | 第91-97页 |
| ·小信号调制特性 | 第97-98页 |
| 小结 | 第98-99页 |
| 第七章 结论 | 第99-100页 |
| 中外文参考文献 | 第100-108页 |
